石化企业与二氧化碳减排

本文论述了全球二氧化碳减排政策法规及发展趋势,分析了石化企业参与减排的必要性和意义,在分析研究国外石化公司二氧化碳减排所采取的措施和策略的基础上,提出我国石化企业二氧化碳减排的相关建议。     

一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件

针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻。在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压。与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325 V提高到403 V,并且比导通电阻降低43%。     

一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件

提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si₃N₄,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与传统结构相当的击穿电压,但比导通电阻降低了24%,最高温度降低了59%。     

BP神经网络在BD1定位技术中的应用研究

在分析北斗一号(BD1)定位特点的基础上,通过在西安丰镐东路实测大量数据,观测到BD1定位高程误差较大,难以满足用户需求。针对此类问题,采用BP神经网络的预测结果对BD1定位结果进行修正,以提高定位的精度。确定了神经网络的结构,采用实测数据对网络进行训练,并对神经网络模型进行仿真验证。仿真结果表明,该方法能有效解决BD1定位高程误差较大的问题,具有一定的实用价值。     

全球炼油加氢技术进展

对全球炼油加氢技术的进展进行了综述,并对我国炼油加氢技术发展方向进行了展望。指出今后我国需要加大低成本汽柴油加氢新技术研发,降低油品升级成本;加强渣油加氢裂化技术创新,并向工业化迈进。     

风机模拟实验平台的研究

为了在实验室里完成对风力发电系统的研究，设计了一套以感应电机模拟风机的实验平台。文章首先分析了风机运行的原理，用特性曲线描述了功率、转矩特性。然后讨论了异步电机的控制方法，基于矢量控制，通过对异步电机转矩与转速的控制，使其按照风力机的特性运行。设计了基于DSP TMS320LF2407控制芯片的控制系统，最后给出实验结果，对风速变化及机组转速变化两种典型运行条件下的风力机运行特性进行了模拟实验，实验结果与理论数据基本一致。     

具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性

对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场层的结终端扩展作用以及圆形结构曲率效应的影响,增强具有高压互连线的横向高压器件漂移区耗尽,从而降低高压互连线对器件耐压的影响.实验与仿真结果表明,器件的击穿电压随着互连线宽度的减小而增加,并与P-top降场层浓度存在强的依赖关系,三维仿真结果与实验结果较吻合,而二维仿真并不能较好反映具有高压互连线的高压器件击穿特性.在不增加掩模版数、采用额外工艺步骤的条件下,具有30μm高压互连线宽度的多区双RESURF LDMOS击穿电压实验值为640V.所设计的高压互连器件结构可用于电平位移、高压结隔离终端,满足高压领域的电路设计需要.     

ESD robustness studies on the double snapback characteristics of an LDMOS with an embedded SCR

Criterion for the second snapback of an LDMOS with an embedded SCR is given based on parasitic parameter analysis.According to this criterion,three typical structures are compared by numerical simulation and structural parameters which influence the second snapback are also analyzed to optimize the ESD characteristics. Experimental data showed that,as the second snapback voltage decreased from 25.4 to 8.1 V,the discharge ability of the optimized structure increased from 0.57 to 3.1 A.     

一种Divided RESURF高压互连结构研究

高压互连是功率集成电路中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。围绕高压互连技术进行研究,使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,通过进行二维仿真,优化其结构和掺杂浓度等参数,器件的击穿耐压达到903 V,可用于600 V高压集成电路中。     

一种积累型槽栅超势垒二极管

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。