公路工程施工现场管理应该注意的问题

公路工程施工的现场管理是施工管理的核心,现场管理效果的好坏直接影响工程的质量、进度和效益。加强现场管理就是要在一定的时间和空间内有组织、有计划、有秩序地施工,以实现公路建设项目快速、优质、低耗。     

600 V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计

基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8～9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。     

一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件

提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si₃N₄,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与传统结构相当的击穿电压,但比导通电阻降低了24%,最高温度降低了59%。     

一种积累型槽栅超势垒二极管

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。     

大口径望远镜方位轴系静承载能力分析

针对大口径光学望远镜方位轴系的结构特点,利用ANSYS建立了相应结构的二维简化模型,对接触刚度、接触算法等接触仿真相关参数进行了简要分析与设定。结果表明,与经典的赫兹接触理论相比,ANSYS计算得到的最大接触压力与弹性趋近量误差分别为4.3%和0.4%,验证了ANSYS分析中模型建立和参数设置的合理性。再利用所得ANSYS模型,结合轴承实际参数,对该望远镜方位轴系的平面止推轴承进行了静力学分析,建立了一种静承载能力曲线的绘制方法,为大口径望远镜方位轴系设计提供了可靠的理论依据。     

项目管理中的风险管理分析

从风险和风险管理的定义出发,讨论了风险产生及其风险的分类。重点讨论了风险管理中风险识别、风险分析、制订对策和风险监控等四个步骤。基于风险管理认识,详细研究了风险估计的方法、建立风险清单、风险评估、损失大小估计及损失的概率评估等。给出了风险管理策略和风险的驾驭和监控。     

当前印刷行业的融资租赁市场格局

<正>融资租赁这样一个新兴行业,经过多年的发展,已经在中国逐渐成熟。而作为与国民生活关系紧密的众多产业链中最关键一环的印刷业,也成为融资租赁业界的重要战场,先后出现的融资租赁公司在这     

有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p－降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.     

一种低导通电阻低转折电压的双通道分段阳极横向IGBT

A dual conduction paths segmented anode lateral insulated-gate bipolar transistor （DSA-LIGBT） which uses triple reduced surface field （RESURF） technology is proposed. Due to the hybrid structures of triple RESURF LDMOS （T-LDMOS） and traditional LIGBT, firstly, a wide p-type anode is beneficial to the small shift voltage （VST） and low specific on-resistance （Ron,sp） when the anode voltage （VA） is larger than VST. Secondly, a wide n-type anode and triple RESURF technology are used to get a low Ron,sp when VA is less than VST. Meanwhile, it can accelerate the extraction of electrons, which brings a low turn-off time （Toff）. Experimental results show that： VST is only 0.9 V, Ron,sp （Ron × Area） are 11.7 and 3.6 Ω · mm^2 when anode voltage VA equals 0.9 and 3 V, respectively, the breakdown voltage reaches to 800 V and Toff is only 450 ns.     

我国建立石油战略储备形势分析及建议

石油是重要的战略物资，世界上很多国家都已建立了一定规模的石油储备。我国既是石油进口大国，也是石油消费大国，石油安全关系到国民经济的可持续发展。对我国建立石油储备的必要性和机遇进行了分析，介绍了世界主要国家及我国的石油储备现状，提出应加快建设石油战略储备的建议。