基于耦合式电平位移结构的高压集成电路

设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要.     

民用机场模糊综合评判选址模型研究

分析民用机场的选址特点,确定主要选址因素,针对AHP法中决策者的主观判断、偏好及对问题的理解等因素对于评估结果有影响的不足,采用模糊数学、熵权、层次分析法相结合的方法,建立了模糊综合评判选址模型,运用模糊综合评判法的原理进行民用机场选址方案评价,并通过实例验证了该模型的适用性,从而为民用机场场址选择提供了一种科学、可靠的方法.     

小吨位转炉降低合金消耗成本的工艺措施

为进一步降低转炉合金成本,提高转炉经济技术指标,通过采取合金全量高效烘烤技术、建立转炉终点氧化性修正计算器、构建合金动态精准加入模型、优化转炉终点脱氧工艺和出钢紊流均质化控制技术,吨钢降低合金成本2.5元.     

一种滞回比较器设计

比较器广泛应用于模拟信号到数字信号的转换过程中,在模-数转换过程中,对输入进行采样后的信号通过比较器以决定模拟信号的数字量。滞回比较器也叫迟滞比较器,以其优越的抗噪声能力在比较器中占有重要地位。描述一种滞回比较器,使用少量元件节省成本,滞回电压阈值设计灵活,同时用P管作差分输入管,有较高的共模输入范围,转换速率快。使用0.18μm CMOS工艺分别对转折点压差为200 m V的设计进行仿真,仿真结果与设计预期相符合。     

一种高精度过温保护电路的设计

设计了一种高精度的过温保护电路。利用晶体管基极和发射极的负温特性实现温度检测,通过将检测点电压和设定的电压相比较,检测是否过温。由于使用了一个高、低阈值可调的高精度滞回比较器,并且阈值电压点电压由与温度无关的带隙基准提供,因此实现较高的精度和可靠性。通过Cadence Spectre工具基于某公司0.35μm CMOS工艺进行了仿真验证。该设计具有20℃温度迟滞,热关断点为125℃,热开启点为105℃,在3~5.5 V的电压范围内,热关断点和热开启点温度最大漂移不超过0.4℃。     

怎样使施工企业转换管理理念

加快企业内部市场化进程,要按照新的管理体制和运作机制,建立健全以适应市场。根据国家有关产业政策和发展规划,经常分析企业面临的市场态势,正确估价企业的现实状况,时刻以市场为导向,审时度势、精心谋划,不断调整企业的经营方针、经营策略。牢固树立强化战略管理是对未来企业发展投资的观念。     

双酚环氧树脂合成的根管糊剂在封闭应用中的粘接效果比较

探讨生物陶瓷材料i Root SP与AH Plus用于一次性根管术中的效果。观察组给予生物陶瓷材料iROOT SP糊剂进行根管填充治疗,对照组给予AH Plus糊剂进行根管填充,对比2组术后6个月及12个月的根管充填治疗成功率、术后12个月后的患牙根管充填效果、术后1周的疼痛程度、术前及术后3个月的龈沟液中炎症因子水平肿瘤坏死因子-α(TNF-α)、白细胞介素-17(IL-17)、白细胞介素-21(IL-21)。结果表明,观察组术后6个月及12个月的根管充填治疗成功率显著高于对照组（96.55%、72.41%及93.10%、62.07%）(P<0.05);术后12个月边缘染色、边缘完整性、修复体折痕、牙龈状况色、继发龋及牙体折裂评分均显著低于对照组（P<0.05）;观察组术后1周的疼痛率显著低于对照组（6.90%vs 27.59%,P<0.05）;术后3个月,两组沟液中TNF-α、IL-17、IL-21较术前有显著性降低（P<0.05）,观察组显著低于对照组（P<0.05）。     

有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制

提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF 新结构高压LDMOS器件.该结构器件与常规LDMOS相比,采用了相对较薄的外延层,使之与标准CMOS工艺的兼容性得到了改善.基于二维器件仿真软件MEDICI分析了n埋层的浓度、长度和p-降场层的杂质浓度分布对器件耐压的影响,并进行了器件和工艺的优化设计.在国内工艺生产线成功地研制出1200V高压LDMOS,并已用于1200V功率集成电路中.     

1200 V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱劝集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V，最大输出峰值电流为1A，最高工作频率100kHz，温度范围-55～125℃，可同时驱劝系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件，是SPIC的一种典型电路。     

微机保护实训室的发电机误上电保护测试

针对大型发电机误上电的两种情况,以微机保护实训室的国电南京自动化股份有限公司生产的DGT801系列数字式发电机变压器组保护装置为例,通过测试仪为微机保护装置送入相应的电流量和电压量,说明发电机误上电保护的测试方法.