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以引黄南干一级、二级泵站出水压力平洞为例,分析了混凝土衬砌裂缝的原因,提出了防止裂缝出现的新方法。 相似文献
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根据当前建设工程质量检测市场存在的主要问题,对其产生的原因进行探讨,提出了若干建议和措施,以加强对建设工程质量检测市场的监管。 相似文献
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氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究 GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C) GaN经不同温度退火后的Raman和 Hall效应,发现两个重要的实验事实:在适当的温度范围内,在注 C GaN中存在石墨微晶; GaN中分离的C是受主. 文中所用样品的制作过程是在(0001)晶向的蓝宝石衬底上用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术生长的1um GaN外延层,外延层的自由电子浓度和霍尔迁移率分别为 1~5×1017cm-3和 60… 相似文献
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在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV). 相似文献
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利用Vlasov开口薄壁杆的基本理论并结合有限元方法,将复杂的空间三维问题简化为一维离散数值问题,建立了一维开口薄壁杆件有限元理论和方法,并给出刚度方程的显式.通过典型算例分析了开口薄壁杆截面的相对壁厚对计算精度的影响:当相对壁厚不超过10%时,本文方法和ANSYS三维有限元软件的计算结果基本吻合,而两种方法的离散自由度之比达到1∶185.充分表明了本文所提方法和计算模型在薄壁结构中不仅计算精度高、简便易用,与传统有限元法相比可以大大缩减离散自由度,保持了很高的计算效率. 相似文献
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引水工程施工标段划分应根据工程工期和效益要求,合理划分标段,分标不应过细。以临汾市引沁入汾和川取水输水工程的输水工程和甘肃省引洮总干渠工程的部分工程为例,分析了案例工程施工标段划分中存在的问题和采取的措施,阐述了引水工程施工标段划分宜采取的方法。 相似文献
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内蒙古某金矿采用全泥氰化工艺,因原矿性质发生变化,需进行浸出条件优化试验研究。在工艺矿物学研究的基础上,采用响应曲面法考察了氧化钙用量、氰化钠用量、充气量3种因素对金浸出率的影响,建立了拟合方程与响应曲面。结果表明:氧化钙用量、氰化钠用量、充气量对金浸出率影响较大,且三者间有明显的交互作用;在磨矿细度-74μm占90%的条件下,最优浸出条件为氧化钙用量3.330 kg/t、氰化钠用量1.040 kg/t、充气量0.076 m^3/h,此时金浸出率预计可达94.75%。该研究为现场工艺优化提供了技术依据。 相似文献
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