氨水挥发法制备氮掺杂TiO_2纳米管及表征

采用阳极氧化法在纯钛片表面制备了TiO_2纳米管,在随后的热处理过程中通过浓氨水受热挥发提供的氨气氛下进行掺氮,采用SEM、XRD、XPS对氮掺杂的TiO_2纳米管进行了表征,采用自制光催化污水处理装置研究了氮掺杂对TiO_2纳米管光催化性能的影响。结果表明:制得的TiO_2纳米管管径为80～90nm,壁厚为5～10nm;经400℃热处理后,未掺杂、氮掺杂TiO_2纳米管的晶型相同;氮掺杂使TiO_2纳米管的光催化性能提高了4.7%。     

五常市旱灾成因分析及减灾对策

近年来五常市的干旱严重,分析了干旱成因及发生干旱灾害的形势,提出了解决干旱问题的对策。     

沿海电厂小口径海水冷却水管选型分析

沿海电厂小口径海水冷却水管在使用过程中,易发生电化学腐蚀而出现渗漏。根据使用条件对管道进行优化选型,解决了管道腐蚀问题,确保了机组安全运行,为解决同类问题提供了有益的借鉴。     

计算机在财务管理中的应用

随着计算机技术和网络经济在我国的不断发展,计算机给我们财务管理工作带来的便利和高效率是显著的。该文从目前财务管理存在的问题出发,分析了在现代企业财务管理中实行网络化财务管理的意义,介绍了计算机网络在财务管理中的的应用,在此基础上着重探讨了完善网络化财务管理的途径。     

氮掺杂二氧化钛纳米管的制备及表征

采用阳极氧化法在纯钛表面制备了二氧化钛纳米管阵列薄膜,在热处理的过程中利用浓氨水的挥发提供氨气氛进行掺N.采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis)对样品进行了表征.结果表明,制得的二氧化钛纳米管管径为70～80nm,壁厚为5～10 nm,管长为400～500nm;N元素成功进入晶格,含量为0.68%;400℃热处理的未掺杂、N掺杂二氧化钛分别为纯锐钛矿相、锐钛矿和金红石混相.相比未掺杂的二氧化钛纳米管,N掺杂的二氧化钛纳米管在可见光区表现出更强的吸收.以甲基橙为模拟污染物,采用分光光度计研究了N掺杂、甲基橙初始浓度、pH值对光催化性能的影响.结果显示,甲基橙的光降解过程符合一级动力学过程,经过150 min的光催化实验,N的掺杂使二氧化钛纳米管的光催化性能提高了11.1%,甲基橙的最佳初始浓度为20 mg·L(-1),最佳pH值为1.     

N掺杂二氧化钛纳米管的制备及光催化性能研究

采用阳极氧化法在纯钛表面制备了二氧化钛纳米管,并在热处理的过程中提供氨气氛进行掺N。场发射扫描电镜(FESEM)观察结果表明,制得的纳米管管径为70～80 nm,壁厚为5～10 nm;XRD分析结果表明,400℃热处理的未掺杂二氧化钛为纯锐钛矿相,400℃热处理掺杂后的二氧化钛为锐钛矿和金红石混相。以甲基橙为参考污染物,采用分光光度计研究了未掺杂和N掺杂二氧化钛纳米管对污染物的光催化性能。结果显示N掺杂的二氧化钛纳米管的光催化性能比未掺杂的提高了11.1%,光催化效果差异是N掺杂引起的。     

基于聚类–回归算法的制冷机组实际运行特性研究

制冷机组部分负荷性能对制冷机组运行能耗影响非常大,本文提出基于聚类–回归算法挖掘制冷机组实际运行特性的方法,即以K–Means聚类算法识别不同负荷率区间的代表性运行数据,以最小二乘法对聚类结果进行回归分析。并基于地源热泵机组的大量实际运行数据,采用提出的聚类–回归算法,研究了地源热泵机组的实际运行特性,拟合了机组COP与部分负荷率PLR的曲线,得到COP与PLR的数学表达式,为开展制冷机组的智能调控奠定基础。     

核电汽轮机凝汽器的设计原则和选材

介绍了压水堆核电站二回路汽轮机凝汽器的基本设计原则、管束排列注意事项和结构要求以及选材要领。     

中枢神经再生材料研究进展

首先介绍了目前中枢神经再生面临的问题和应对策略,然后系统地综述了脑再生和脊髓再生修复材料的发展。研究发现,成人中枢神经系统内存的神经干细胞和具有特定分化方向的前体细胞具有潜在的、巨大的修复功能;生物支架材料与神经干细胞的联合使用能够较好地控制细胞微环境,有望提高细胞移植后的存活状况,促进中枢神经再生。最后,结合现在中枢神经再生的研究热点——神经干细胞,阐述了中枢神经再生材料调控干细胞的研究进展和潜能,为联合应用生物材料与干细胞促进中枢再生提供了参考。     

Mn0.1Ti0.9O2-δ稀磁半导体薄膜的MBE生长及表征

采用OPA-MBE方法在SrTiO3(STO)衬底上成功制备了Mn_0.1Ti_0.9O_2-δ(MTO）稀磁半导体薄膜. 利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外可见光分度计以及直流四探针测试仪研究了薄膜的晶体结构、化学组成、光吸收和电荷输运性质. MTO薄膜具有锐钛矿和金红石的混合相，光吸收带边界发生“红移”，电荷输运性质明显提高，室温环境下电阻率仅为37.5Ω·m.