5G基站电磁辐射评估

随着5G基站密度不断增加,5G基站电磁辐射水平的影响已成为限制5G通信技术发展的重要因素。为解决5G基站周围电磁辐射限值问题,提出评估方法对5G基站电磁辐射水平进行预测。假设基站覆盖小区用户容量已知,利用统计模型对基站周围功率密度的最大值进行计算。在ANSYS Savant上,通过对5G基站周围最大功率密度进行仿真,验证了预测方法的准确性和可行性,对今后基站选址具有一定的指导意义。     

钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响

将Ta_2O_5与V_2O_5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜.在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜.X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向.XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存在.温度-电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃.Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta 替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因.     

开关负载对电网影响的仿真和实验设计

针对开关负载产生的高频干扰信号对电网的影响进行了仿真设计,对汇流条上的电压畸变进行研究。同时进行了实验系统的设计,包括硬件系统和软件系统,从而能通过该实验系统对开关负载造成的汇流条上的电压畸变进行测试和数据的分析。该实验系统对于直流和交流系统都适用。     

电子设备中嵌入式单片机系统抗干扰技术分析

单片机使用过程的优点是能够将系统运行效率有效提升,特别是抗干扰技术的运用,能够将电子设备软件和硬件功能逐渐提升。在技术发展过程中,设计者通过技术革新,分别在软件和硬件层面应用单片机嵌入系统内应用抗干扰技术,进而提高系统的抗干扰性能。下文对于单片机的嵌入式系统抗干扰技术内容进行简要介绍,分析技术应用优势,并对技术运用进行探讨以供参考。     

超宽带SiC MESFET器件的研制

采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。     

基于Talbot干涉的X射线光栅成像技术研究进展

从技术特点和研究热点的角度,综述了X射线光栅干涉成像技术与系统的国内外最新进展。介绍了具有代表性的基于Talbot-Lau干涉法的X射线光栅成像原理与系统结构,以及物质对X射线的衰减、折射与小角散射的多信息获取技术。综述了国内外对X射线光栅成像技术与系统的优化改进研究,主要包括光栅步进对高位置分辨率的松弛与大视场高分辨率光栅成像技术的实现。介绍了二维光栅与基于光栅的具有时间分辨率的四维成像技术的国内外最新发展动态。展望了X射线光栅成像技术的发展趋势。     

统计信息化中的数据建模方法及应用

基于在统计报送、分析等领域的多个项目的实践工作经验,结合国外统计界广泛采用的开源统计工具,设计了一套具有良好适应性与扩展性的统计建模方法,即"四维数据存储结构"与"外置式统计工具包",并在项目中得到了验证。     

利用辉光管制作电子时钟

文章提出了一种利用辉光管制作电子时钟的方法,具有一定的实用价值与现实意义。