地区电厂孤网运行在电网调度中的处理探讨

围绕孤网系统恢复主网运行的调度处理方案,归纳地区电厂并网的运行方式,阐明孤网系统的形成和电网并列的条件,提出孤网系统恢复主网运行的调度处理方案——常规的"电厂侧并网"和灵活的"变电站同期"。     

喷钙脱硫温度区间分析及煅烧产物水合活性实验

实验分解CaCO3,并进行CaO脱除SO2适宜温度区间的热力学分析和计算,结合CaO的水合活性实验研究,得出了炉内最佳的喷钙脱硫温度为950℃,适宜温度区间为846~1 491℃.     

铅阳极泥处理技术的研究进展

铅阳极泥是粗铅电解精炼过程产出的一种副产物,是重要的二次资源,富含多种有价金属元素.从铅阳极泥资源中综合回收金、银等有价金属元素越来越受到重视.论文详细介绍了近年来铅阳极泥火法处理工艺、湿法处理工艺、火法-湿法联合处理工艺的研究进展,并对真空处理技术及直接制备纯物质技术进行了报道.针对云南某冶金企业高铋砷铅阳极泥的特点,作者所在课题组提出“加压氧化碱浸脱砷锑铅-熔铸粗铋合金-铋电解精炼”的处理新工艺,在分离砷锑铅的同时,实现了铋的清洁提取与金银的高度富集.结果表明:铋的回收率>98 %,锑、铅的回收率>96 %,金的回收率>99 %,银的回收率>97 %.铋电解阳极泥中金、银含量从铅阳极泥原料中的22 g/t、3 595 g/t分别富集到201 g/t、31 270 g/t.      

工民建预算中存在的问题及解决措施

当前,国内经济建设正处于飞速发展的新时期,大部分行业都在进行相应的改革.为了顺应时代发展的趋势,工民建行业需要解决工程预算工作中存在的问题.在工民建企业进行工程预算的过程中,由于在预测阶段一直存在较多的不确定因素(如施工时间、材料价格等),并且这些因素都会随着市场的变化而变化,这也在一定程度上增加了预算的难度.因此,相...     

AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses for X-band application

正AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses were developed.The 0.2μm recess lengths were shrunk from the 0.6μm designed gate footprint length after isotropic SiN deposition and anisotropic recessed gate dry etching.The AlGaN/GaN HEMTs with 0.2μm V-gate recesses on sapphire substrates exhibited a current gain cutoff frequency f_t of 35 GHz and a maximum frequency of oscillation f_(max) of 60 GHz.At 10 GHz frequency and 20 V drain bias,the V-gate recess devices exhibited an output power density of 4.44 W/mm with the associated power added efficiency as high as 49%.     

某国外大型IDC机房的电源系统建设方案分析

IDC机房的电源系统作为IDC机房最重要的基础设施之一,扮演着极其重要的角色。随着服务器机架功率及对电能质量要求的不断提升,如何优化配置UPS电源系统,如何降低UPS系统投资,如何提高整体UPS系统的效率有着非常现实的工程意义。以江苏省邮电规划设计院在海外承接的最大IDC项目为基础,文章研究分析和总结目前国际上较为先进的IDC机房配电方案,给未来中国的IDC机房设计和建设拓宽思路。     

F等离子体处理 AlGaN/GaN HEMT击穿电压和电流崩塌研究

F等离子体处理工艺被广泛的应用于 AlGaN/GaN HEMT增强型器件的研制和栅前处理工艺。本文研究了低功率F处理 AlGaN/GaN HEMT的击穿特性和电流崩塌特性。随着F处理时间的增加,饱和电流下降,阈值电压正向移动。对不同F处理时间的器件肖特基特性分析后发现,120s的F处理后器件栅泄漏电流明显减小,器件击穿电压提高,当F处理时间大于120s后,由于长时间F处理带来的损伤器件栅泄漏电流没有继续减小。采用不同偏置下的双脉冲测试对不同F处理时间的电流崩塌特性进行了研究,低功率F处理后没有发现明显的电流崩塌现象。     

Effects of the fluorine plasma treatment on low-density drain AlGaN/GaN HEMT

Low-density drain high-electron mobility transistors (LDD-HEMTs) with different F^- plasma treatment were investigated by simulations and experiments. The LDD region was performed by introducing negatively charged fluorine ions, which modified the surface field distribution on the drain side of the HEMT, and the enhancement of breakdown voltage were achieved. With the increased fluorine plasma treatment power and LDD region length, the breakdown voltage can be maximumly improved by 70%, and no severe reductions on output current and transconductance were observed. To confirm the temperature stability of the devices, annealing experiments were carried out at 400℃ for 2 min in ambient N₂. Moreover, the gate leakage current and breakdown voltage before and after annealing were compared and analyzed, respectively.     

核心机房电力电池区与设备区面积配比研究

动力系统是通信网络运行的能量源泉,是所有通信设备的能源供应者。随着移动通信网络的不断发展,主设备用电需求不断增加,导致核心机房电力电池室区域面积日益紧张。为了能更合理的利用机房面积,同时对未来新建机房大楼提出切实可行的电源区与设备区面积配比意见。本研究通过结合现网机房功率密度等数据、未来设备用电发展趋势,得出电源区与设备区面积配比结论。     

高铋铅阳极泥碱性氧化浸出渣 熔炼-电解提铋研究

以高铋铅阳极泥碱性氧化浸出渣为原料,采用碳热还原熔炼-电解工艺提取铋,同时富集金银.热力学分析表明金属碳热还原的初始温度由低到高依次为:铜、铋、铅、锑、锡;铋氧化物在800 ℃以上可获得足够大的还原热力学推动力.熔炼粗铋合金的最佳温度为800 ℃,碳用量为浸出渣质量的5 %,四硼酸钠用量为浸出渣质量的15 %,熔炼时间为1.5 h.在此条件下,粗铋合金中铋、金、银的平均含量分别为84.29 %,39.62 g/t和6 519 g/t,相比于铅阳极泥原料,金银分别被富集1.8倍.采用公斤级粗铋合金板为阳极,在BiCl₃-NaCl-HCl体系中分别电解24 h、48 h、72 h、112 h,阴极产物中铋平均含量＞98 %,电流效率＞96 %,铋电解阳极泥中金、银平均含量分别为222.94 g/t,34 287.6 g/t,相比铅阳极泥原料,金银平均被富集到9.54倍和10.13倍.