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81.
基于可调电荷泵的双模式高压开关控制器 总被引:1,自引:1,他引:1
为了防止在液晶显示面板上发生闪烁和减小栅驱动器的馈通现象,设计了一种基于可调电荷泵的用于TFT-LCD液晶显示的片内双模式高压开关控制器,该控制器能减小液晶显示功耗,减少栅走线和液晶面板之间的耦合效应,其输出延时和下降斜率可调并输入到栅驱动器中,从而避免液晶显示设备错误的显示。该基于可调电荷泵的高压开关控制器的芯片已在UMC0.6μm-BCD工艺线投片,电荷泵输出可调电压范围为10~30V,测试结果证明,高压开关控制器电路工作良好,其面积为0.32mm2,静态电流小于3μA。 相似文献
82.
83.
研究了新型的FDP FPGA电路结构及其设计实现.新颖的基于3输入查找表的可编程单元结构,与传统的基于4输入查找表相比,可以提高约11%的逻辑利用率;独特的层次化的分段可编程互联结构以及高效的开关盒设计,使得不同的互联资源可以快速直接相连,大大提高了可编程布线资源效率.FDP芯片包括1600个可编程逻辑单元、160个可用IO、内嵌16k双开块RAM,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺全定制方法设计并流片,其裸芯片面积为6.104mm×6.620mm.最终芯片软硬件测试结果表明:芯片各种可编程资源可以高效地配合其软件正确实现用户电路功能. 相似文献
84.
设计了一种采用双重自适应补偿的两级结构LDO线性稳压器,该补偿技术能够产生两个随负载变化的零点以抵消不同负载条件下的极点变化带来的影响,从而保证系统的稳定性.与传统的设计方法相比,该补偿方法几乎不消耗电流,文中设计的LDO静态电流小于1μA,并且采用折返式电流限制,减小了芯片的功耗.采用该双重自适应补偿的LDO已在Hynix O.5μm CMOS工艺线投片,当负载电流为300mA时,漏失电压为150mV,线性调整率为2mV/V,负载调整率为0.75%.测试结果表明,采用该双重自适应补偿结构的LDO工作良好. 相似文献
85.
从索尼(SONY)Handycam HDR-TG1E 相关消息公布以来,注定就会吸引众多数码玩家和时尚人士的目光,这不仅仅源于它采用超小巧的立式机身,更因为其高清拍摄以及完善的辅助功能。完美一点点,方能更讨人喜欢,这就是爱恋 TG1E 的原因。 相似文献
86.
金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉.未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理.采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力.金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求.GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃.金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3%,热沉焊接后空洞率不大于5%,满足高功率芯片散热要求.按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求. 相似文献
87.
针对传统的Mash结构由于各级失配导致信噪比低的问题,本文采用一阶相位累加器来实现传统的sigma-delta(Σ-Δ)架构,并将其采用硬件描述语言来实现,这样整个系统均在数字域实现,从根本上解决了各级间的失配问题.在插值滤波器的设计上,使用优化了的半带滤波器结构和级联积分梳状滤波器,节省了硬件资源.电路采用的是Magnachip 180nm 1P4M标准CMOS工艺,芯片面积只有0.2025mm2(0.45×0.45),实测芯片得到的信噪失真比(SNDR)达到90dB. 相似文献
88.
多功能窗户控制系统的设计和应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对传统窗户缺少智能化功能的缺陷,以STC89C52单片机为控制核心,设计了一种根据环境参量自动开关窗户的多功能窗户控制系统。通过硬件设计及软件编程,可实现定时、光控、防雨、防烟、防盗、遥控等实用功能。在实验室环境下(温度15 ℃,湿度30%),对系统进行模拟测试,实验测试结果表明,设计的系统达到了预期效果。 相似文献
89.
本文描述了一个关于模式自动切换电荷泵的开关感应误差电压的精确表达式,此误差电压会在输出电容上产生一个冲击电压。这将会导致一些不希望得到的结果:大的输出电压纹波,有害的高频噪声和低的效率。通过这个表达式可以得到一些减小输出电容上冲击电压的方法。一个等效集总模型被用来推出此表达式。本文中的模式自动切换电荷泵使用SILTERRA0.18?m CMOS工艺实现。实验结果显示冲击电压的值与表达式的计算结果十分吻合。通过比较三个不同的经过改进的版本的测试结果,可以看到由开关感应产生的过冲电压明显的减小。 相似文献
90.
为了提出测定果糖质量分数的新方案,采用光子晶体平面波展开法进行了理论分析和数值模拟。通过研究以硅半导体材料为背景介质周期性排列空气孔圆柱构成的光子晶体,分别取得了正方晶格和三角晶格的空气孔结构光子晶体的TE模、TM模禁带结构特性。结果表明,在高频率区域,2维正方晶格或三角晶格结构各向同性光子晶体的光子带隙随待测质量分数不同是单调变化的;同时,晶格结构对光子带隙有一定的影响,不论是在正方结构还是三角结构光子晶体中,TE模带隙都比TM模大得多。这对质量分数测量和高血糖患者的临床应用有一定的指导作用。 相似文献