“通信电子电路”课程小班化教学探索

"通信电子电路"课程是师生公认的难教和难学的课程。对该课程的小班化教学改革进行了探索,充分发挥小班人数少便于课堂讨论的特点,采用过程性教学及考核方法,设计了形成性评价体系;利用案例式教学活动激发学生的自主学习和扩展学习的能力,而教师也在教学实践与反思中完善教学法。实践结果表明,小班化教学模式明显提高了通信电子电路课程教与学的整体质量,教学效果取得师生双赢。     

低温生长Zn1-xCoxO(x=0.33)薄膜的微结构和磁性

用电子束反应蒸镀法在低温生长了Zn1-xCoxO薄膜.Co含量x高达0.33的Zn1-xCoxO薄膜仍具有类ZnO的纤锌矿结构,没有杂质相,Co的化合价为 2.场冷和零场冷M-T及M-H曲线表明,Zn1-xCoxO(x=0.33)薄膜在低温下具有铁磁性;随着温度的升高,其剩磁和矫顽力均逐渐下降,在65 K以上趋于零,显示出超顺磁性.Zn1xCoxO薄膜的低温铁磁性起源于Co2 离子之间的双交换相互作用及载流子诱导的sP d交换耦合作用,而从低温(＜65 K)铁磁态到高温(＞65 K)超顺磁态的转变可归因于薄膜的纳米晶小尺寸效应.     

(Ba,Sr)WO4薄膜室温电化学制备

采用恒电流技术，在室温条件下，金属钨片上制备了白钨矿结构的BaSrWO4晶态薄膜，电化学反应的工艺条件：电流密度为1mA/cm^3、电解液的pH值为12.5；电化学处理时间为1.5h；XRD，XPS,SEM分析结果表明，制备的（Ba,Sr)WO4薄膜为表面均匀致密的四方晶系单相薄膜。     

钛酸锶钡(BST)薄膜SOL-GEL制备方法研究

利用碳酸盐代替部分醇盐，探讨了采用Sol-Gel技术制备Ba1-xSrxTiO3(BST)铁电薄膜的可行性。以醋酸钡[Ba(CH3COO)2]、碳酸锶[SrCO3]和钛酸四丁酯[Ti(OC4H9)4]作原料，运用一般的Sol-Gel工艺制备BST铁电薄膜，通过XRD分析物质结构，用SEM测定表面形貌，XPS及EDAX测定薄膜的组成。结果表明：采用碳酸锶原料和其他醇盐一起来制备BST铁电薄膜的方法是可行的。     

Al2O3基气敏元件反应过程中脱附量的研究

气敏元件的性能不但与材料的显微结构有关，而且与气敏过程中氧化还原的产物及量的多少相关。针对此问题，借助于TGA热分析系统对3种不同晶粒尺寸的Al2O3基气敏元件在不同温度工作时的脱附量、吸附量进行了研究。     

无铅压电陶瓷的研究与进展

无铅压电陶瓷是当前压电铁电领域的研究热点之一。结合近期国内外有关无铅压电陶瓷方面的论文和发明专利，综合分析了无铅压电陶瓷研究和开发的相关进展，着重给出了无铅压电陶瓷主要种类的相关体系及压电铁电性能。     

新型保温材料在电厂锅炉中的应用

介绍华蓥山发电厂＃2锅炉炉墙及主汔管采用新型保温材料的改造方案，并进行热力校核计算，通过改造后的运行实践证明，效果令人满意。     

基于空时分组编码和天线选择的MB-OFDM超宽带系统

超宽带(UWB)通信系统在未来的短距离高速通信中有很大的发展潜力,为了使系统达到更大的容量和更好的速率,一个可行的办法是采用可以带来空间和多径分集效果的多输入多输出(MIMO)技术和合适的信道编码技术。但在采用多个发送天线/接收天线的同时,所面临的主要问题是和单天线的射频链路相比系统增加了硬件的复杂度和所需的射频链路,增大了超宽带系统的硬件开销。一种有效的降低开销的技术是在发送或者接收端使用基于某些最优准则的选择算法来进行天线的选择。基于传统的MB-OFDM超宽带物理层结构,提出了使用空时分组编码和基于最小误比特率的天线选择算法来改善系统的性能。仿真结果表明,使用天线选择的空时编码超宽带通信系统能在较小开销的情况下,在修正的S-V信道中有效降低了系统的误比特率和提高了系统的传输速率。     

煤矿机电安全管理存在的问题与解决策略分析

文章对当前我国煤矿机电安全管理中存在的问题进行了细致的分析,并提出了几点提升煤矿机电安全管理水平的具体策略,以期能够为煤炭行业改进煤矿机电安全管理带来一些帮助,实现机电安全管理质量的大幅提升.     

Mn离子掺杂对Ba_(0.2)Sr_(0.8)Zr_(0.18)Ti_(0.82)O_3陶瓷烧结和电学性能的影响

采用溶胶凝胶法制备x Mn-Ba0.2Sr0.8Zr0.18Ti0.82O3(BSZT)(x=0mol%、1mol%、2mol%、3mol%)的陶瓷粉末,以传统工艺制备Mn离子掺杂的BSZT陶瓷。研究Mn离子掺杂浓度对BSZT陶瓷烧结特性、物相结构、介电性能、击穿场强以及储能密度的影响。结果表明,Mn离子掺杂降低了BSZT陶瓷的烧结温度,同时降低其介电常数以及介电损耗,提高了击穿场强和储能密度。在1400℃下烧结的2mol%Mn离子掺杂BSZT陶瓷较未掺杂BSZT陶瓷的烧结温度降低了100℃,相对密度为96.3%;1 k Hz处介电常数约为497、介电损耗为3.6%;最大击穿场强为12.595 k V/mm;最大储能密度为0.374 J/cm3。