Zeph增敏PAR的纸色谱法测定镍(Ⅱ)

提出了通过纸色谱法测定含镍废水中镍(Ⅱ)的方法。使用十四烷基二甲基苄基氯化铵表面活性剂增敏PAR显色剂作为浸泡液制备试纸,考察了试纸使用时的最佳条件,建立了测定镍(Ⅱ)的新方法。线性范围为0.5~100.0 mg/L,方法用于含镍废水中镍(Ⅱ)的测定,结果满意。     

一种基于多通道马尔可夫变迁场的故障诊断方法

深度学习在故障诊断中有良好的诊断能力与泛化能力,但大部分工作是直接从卷积层面上提取信号特征图,使邻近信号点未被考虑,并且采样频率不同也会对特征提取有影响.为此,本文基于MTF以及ResNet18算法提出了M2TF-ResNet算法.本文在凯斯西储大学(CWRU)轴承数据集中进行了大量实验.通过验证得出:该算法可适应不同...     

偶氮胂Ⅰ催化光度法测定痕量铁(Ⅲ)

研究了痕量Fe（Ⅲ）对过氧化氢氧化偶氮胂Ⅰ的催化动力学反应,建立了催化光度法测定痕量Fe（Ⅲ）的新方法．实验表明：在pH4．4乙酸-乙酸钠缓冲溶液中,在85℃水浴中加热12min,Fe（Ⅲ）对过氧化氢氧化偶氮胂Ⅰ有显著的催化褪色效应．Fe（Ⅲ）的量在0．02～0．2μg,／25mL范围内与△A呈线性关系,检出限为1．91×10^-8g／mL．表观活化能Ea为48．44kJ／mol,表观反应速率常数1．33×10^-3mol·L^-1·s^-1．用新方法测定人发、大米中痕量铁,回收率为92．5％～97．4％,相对标准偏差（RSD）为2．47％和3．70％,均获得满意的结果．     

Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶.XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:GdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS品格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;...     

城市滨江公园规划——惠州市文星公园建设研究方案

惠州享有独特的人文、山水资源,是广东省历史文化名城、园林城市及旅游城市,随着《惠州市区两江四岸景现及旅游线路规划（2006—2020）》的编制和实施,东江沿岸数个公园陆续建成,自东向西恢复了：合江楼、文笔塔和朝京门等历史景点。     

电磁感应式磁化率定性分析装置的原理与结构

研制了一种电磁感应式磁化率定性分析装置,介绍了装置的原理和结构。该装置可直接定性分析单组分大分子和同分异构体。利用不同分子的磁化率、磁导率、磁滞等磁谱特性的不同,将样品置于磁场中,通过测量和记录样品所产生附加磁场的互感电动势变量强度,可以对被测样品作定性分析。分析过程对样品没有破坏性,具有操作简单、结果直观,不受质量范围限制的优点。     

从乡村景观营造到美丽乡村建设——以惠州市陂头神村美丽乡村建设规划为例

以广东惠州市陂头神村美丽乡村建设规划为例,阐述了乡村景观营造与美丽乡村建设的内涵和关联,从宏观、中观及微观视角,融合城乡规划、市政规划及建筑设计等规划设计手段,对美丽乡村建设路径进行了系统研究。     

Cr(Ⅵ)氧化直接深蓝的褪色反应及其应用

研究了在表面活性剂存在条件下,C r(Ⅵ)氧化直接深蓝褪色反应的影响因素。结果表明,在硫酸介质中,表面活性剂OP对C r(Ⅵ)氧化直接深蓝的褪色反应具有明显的增敏作用,80℃水浴加热10 m in,氧化反应完全,铬的表观摩尔吸光系数为2.26×104L/(m ol.cm)。C r(Ⅵ)在0~4μg/mL范围内与褪色程度符合比耳定律。应用于镀铬溶液中C r(Ⅵ)的测定,结果满意。     

电化学法制备BaMoO4和SrMoO4薄膜的生长特性比较研究(Ⅱ):个性研究

采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上制备了具有白钨矿结构的钼酸盐（BaMoO4、SrMoO4）薄膜,对制备时间分别为10s直到50min的BaMoO4薄膜和制备时间分别为1min直到100min的SrMoO4薄膜的生长情况进行了SEM测试,并对相应结果进行了对比分析。研究表明：用电化学法制备BaMoO4和SrMoO4晶态薄膜,其生长特性既具有共性,也具有鲜明的个性。其共性特征已在另文中给出。其鲜明的个性特征是：1）BaMoO4和SrMoO4这两种薄膜在生长初期晶粒的成核速率不同;两种薄膜晶粒的生长速率不同;2）两种薄膜晶粒的形貌不同,晶粒的尺寸大小明显不同;3）两种薄膜晶粒的生长取向不同。该研究结果对功能薄膜的电化学制备和了解及预测白钨矿结构的晶态薄膜的生长习性,具有重要意义。     

化学溶液工艺制备多晶钼酸钙薄膜

利用化学溶液途径成功地制备出了符合化学计量比的钼酸钙多晶薄膜.通过旋涂技术将薄膜沉积在Si(100)或载玻片上,并利用SEM技术表征了薄膜的表面形貌,以及薄膜的表面随退火温度变化的特征.X射线衍射结果显示,在溶液中,钼酸钙化合物就已直接生成而不需经过任何中间过程.退火温度对钼酸钙薄膜微观结构的影响研究表明,当退火高于550℃时薄膜的生长具有择优取向特征.钼酸钙薄膜的拉曼光谱测试结果进一步表明了钼酸钙薄膜的四方相结构特征以及薄膜微观结构的均一性.此外,本文还报道了不同温度下测得的钼酸钙薄膜在紫外光激发下的光致发光性质,其研究结果表明,在276 nm的紫外光激发下,钼酸钙薄膜具有一个宽的(～200 nm)绿光发射带.