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用熔体快淬法制备的非晶态合金经退火处理可形成纳米晶合金,其形成机制至今仍是研究的热点。国外纳米晶成形机制研究主要集中在添加元素在晶核的形成和长大过程中的作用等方面。本工作认为纳米晶的形成有着更深层的原因,结合长期以来关于因瓦合金的热膨胀系数和声子谱测量,以及最近纳米软磁材料的声子谱研究,指出非晶态合金中的声子软化现象反映出原子间的相互作用力减弱,非晶合金体系处于结构松散状态,非晶合金的这种结构不稳定性才是造成其在晶化初期易于爆发式大量形核,并进一步形成均匀分布的纳米晶的主要原因。 相似文献
23.
通过水雾化法制备了Fe74Cr1Si9B10P4C2非晶合金粉末,该成分合金过冷液相区可达35 K,具有良好的大块非晶形成能力,粒径在100 μm左右的粉末依然为非晶态.同时该成分非晶合金还具有优异的软磁性能,其饱和磁感Bs可达1.3T,矫顽力Hc=4.6 A/m.通过对非晶粉末表面进行钝化绝缘处理可极大提高非晶磁粉芯的高频特性,粉芯磁导率在10 MHz左右依然保持稳定,同时磁心损耗也极大降低,在Bm=100 mT,f=100 kHz测试条件下,其损耗Pcv=592.9 kW/m3. 相似文献
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Effect of Copper and Niobium Addition on Crystallization Kinetics in Fe-Cu-Nb-Si-B Alloys 总被引:1,自引:0,他引:1
在差热扫描分析仪上以不同加热速率测试非晶 Fe78Si11B9和纳米晶 Fe73.5Cu1B7Si15.5Nb3合金晶化情况,采用Kissinger方程计算非晶Fe78Si11B9合金的激活能为(370±3) kJ,Fe73.5Cu1B7Si15.5Nb3纳米晶第一晶化相的激活能为(295±5) kJ;提出纳米晶Fe73.5Cu1B7Si15.5Nb3合金初晶相激活能较低与率先析出的Cu簇刺激晶化相析出有关;分析了Cu簇的析出动力学,计算出Fe73.5Cu1B7Si15.5Nb3合金在773 K保温3600 s时Cu簇的生长平均半径为3 nm,在773 K保温2.5 h时,最大析出体积密度为3.7 ×1024/m3;计算结果与K. Hono试验观察结果一致(在 673 K保温 3600 s,平均半径3 nm,析出Cu簇的密度数量级在1024/m3)。 相似文献
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本文采用小角转动法(Small-Angle Magnetization Rotation)对(Co(77-x)FexSi8B15(x=4,5,7))钴基玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数进行了测量,研究了拉应力(σ)对不同成分的钴基玻璃包覆非晶丝磁致伸缩系数的影响。实验结果表明:三种成分玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数均随着外应力的增加逐渐减小;Co72Fe5Si8B15玻璃包覆非晶丝的磁致伸缩系数随着外应力的增加从+1.1×10-7 (σ=0MPa) 变为-3.3×10-7 (σ=1880MPa),存在一个由正变负的过程。 相似文献
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采用高压水雾化方法制备了成分为(Fe0.76Si0.09B0.10P0.05)98C2的非晶粉末,由该成分非晶粉末制备出的磁粉芯具有较高的抗直流偏置性能及优异的损耗特性.研究了制备工艺对样品磁性能的影响.研究结果表明,非晶磁粉芯压制后的去应力退火处理能够有效的提高磁导率和降低损耗,过高的热处理温度会使非晶粉末晶化,导致涡流损耗急剧升高,恶化磁性能,最佳的退火温度为693K,绝缘包覆是制备高性能磁粉芯的必备工艺,通过最优化工艺制备的磁粉芯,其损耗为Pcv =320 kW/m3(f=100 kHz,Bm=0.1 T),抗直流偏置性能为:在H=100 Oe(1 Oe=7.9578×10A/m)外加磁场下,磁导率μa=60的磁粉芯样品对应电感下降为原感值的60%.通过与同规格其他类型磁粉芯的对比,发现FeSiBPC非晶磁粉芯具有极低的损耗及优异的高频磁性能. 相似文献
29.
为考察具有Cu7In3相结构的Cu In前驱膜对CuInS2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu In薄膜,并对制备态Cu In薄膜在380 ℃进行真空退火处理制备Cu7In3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu In薄膜和Cu7In3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成CuxS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu7In3为前驱膜制备的CuInS2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。 相似文献
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