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41.
神经网络方法在水淹层识别中的改进 总被引:6,自引:2,他引:4
在充分探讨BP神经网络基本原理的基础上,提出了用改进的神经网络进行水淹层识别的一种方法。研究中为了解决网络中由于学习率ε的不稳定而导致的网络振荡问题,采用了一种新型的动态学习率方法。实际应用结果表明,该方法的运用进一步提高了水淹层解释精度,通过对南阳油田4口井的试油结果相对比,其符合率达到80%。 相似文献
42.
低渗透异常高压气藏典型井的数值模拟 总被引:2,自引:2,他引:0
低渗透异常高压气藏是一类特殊的气藏,气体渗流除滑脱效应外,还要受到启动压力梯度、介质变形等因素的影响,从而导致气体在储层中的渗流为偏离达西规律的非线性流动。到目前为止还没有一套可靠的描述该类气藏动态预测的模型和方法,运用常规的气藏工程手段和气藏模拟技术往往难以正确认识其开发规律,导致开发效果不理想。在分析了启动压力梯度、介质变形对低渗透异常高压气藏渗流影响的基础上,建立了针对低渗透异常高压气藏的三维气、水两相非线性渗流数学模型。该模型还考虑了多种非线性渗流对气藏开发动态〖JP2〗的影响。利用该模型对四川某低渗透异常高压气藏的典型井进行了生产历史拟合及模拟预测方案设计,为该气藏设计了一套开发首选方案。该研究实现了对低渗透异常高压气藏开发的定量动态预测,对气藏的高效开发具有指导意义。 相似文献
43.
面向目标编程的电力系统潮流计算 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍电力系统潮流计算的面向目标编程(OOP)方法,重点介绍电力系统元件的模型和稀疏矩阵的存储与操作方面的特点。从而展现OOP方法所带来的灵活性、模块性和程序的可读性和易改性。说明通过稀疏矩阵的存储与操作可加快计算速度。这种模型以及编程方式可在稍作修改后用于电力系统分析的其他应用软件。 相似文献
44.
主要介绍配置方向闭锁高频保护、高频闭锁距离保护、零序过流保护及重合闸的220kV线路。在不同运行工况下,当线路发生一相断路器误跳后,分别产生的两种不同事故现象.并分析了产生不同事故现象的原因。 相似文献
45.
应用模糊聚类分析方法评价油藏质量 总被引:2,自引:0,他引:2
在油藏精细描述和小层储量复算基础上,应用模糊数学中的模糊聚类分析方法,选用了储量丰度、孔隙度、渗透率、平均孔隙半径以及反映油藏非均质特征变异系数、突进系数等参数,分单井、小层及沉积微相对H油藏的质量作了系统地分类评价.评价结果表明,H油藏的储层划分为四种类型,其中多数储层属于Ⅱ,Ⅲ类储层,储层质量较好. 相似文献
46.
集控变电运行模式是变电站监控方式发展的一种新趋势,综合自动化水平高的变电站在提高电网监控水平的同时,也给运行人员的培训提出了新的要求。集控变电运行培训模式也不再是针对传统的单个变电站运行人员的培训,而是对集控中心及其管辖的变电站的运行人员、操作人员进行有关数据采集系统、集控站SCADA系统、变电站就地的监控系统及变电站设备操作等内容的培训。通过建立的集控变电运行模式仿真系统实现对常规和反事故演习培训是一个便捷和高效的办法。 相似文献
47.
首钢炼铁厂五制粉系统一直使用焦炉煤气加热空气(热风)用于烘干高炉用喷吹煤粉。在公司结构调整使焦炉煤气较为紧张、高炉煤气有少量放散的情况下,通过对炼铁厂五制粉系统4台热风炉实施改造,用放散的高炉煤气代替焦炉煤气,实现了有效能源利用的最大化,在节能降耗和循环经济上取得了新的突破。 相似文献
48.
基于小波变换和中值滤波的FMI信号去噪方法 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了二维离散小波变换下的图像分解与重构算法。在图像分解与重构的基础上,提出应用中值滤波和二雏离散小波变换相结合的方法对舍噪的FMI图像进行去噪处理,通过实例验证,采用新方法对一口溶蚀孔洞储层井的FMI图像进行去噪分析,并与单一的中值滤波或小波变换法的结果进行比较。实验结果表明,应用二维小波分析结合传统方法对FMI图像进行去噪,能够有效地去除图像中的随机噪声,其结果优于单一的中值滤波或小渡分析法,对提高油、气层裂缝和孔洞的自动识别具有重要的指导意义。 相似文献
49.
低渗透砂岩导电机理复杂,为了进一步研究其储层的导电性,以Micro-CT扫描的二维岩心图像的微观孔隙结构特征为基础,利用二值化阈值分割法、数学形态法提取连通孔隙,建立三维数字岩心模型,应用最大球算法建立数字岩心的孔隙网络模型;采用有限元法模拟数字岩心模型的导电特性,探讨孔隙结构、地层水矿化度、饱和度及润湿性等因素对储层岩石电性的影响规律。研究结果表明,在低渗透砂岩储层中地层因素与孔隙度满足阿尔奇公式;当含水饱和度为50%时,电阻率增大系数与含水饱和度交会图呈现2种不同的直线形态。该研究为低渗透砂岩储层电法测井解释提供了理论支撑。 相似文献
50.
实验优化设计了808nm DFB半导体激光器的二级布拉格光栅结构,介绍了808 nm分布反馈(DFB)半导体激光器光栅制备的工艺过程。采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在GaAs衬底片上制备了周期为240nm的光栅图形,全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性,腐蚀液采用H3PO4 : H2O2 : H2O (1 : 1 : 10),腐蚀时间为30s。光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示,光栅周期为240nm,占空比为0.25,深度为80nm,具有完美的表面形貌,及良好的连续性和均匀性。 相似文献