C-RAN架构中适用于干扰消除的资源分配机制

针对在C-RAN( Clean-Radio Access Network)架构无线网络中的干扰消除机制会带来背景噪声放大的问题,利用C-RAN架构网络的集中式处理,从而可以对全网络系统求解干扰。在定义网络背景噪声放大因子的基础上,将网络中背景噪声放大的最小化问题建立为以资源分配集合为可行空间、以最小化背景噪声放大因子为目标函数的最优化数学模型,并给出了利用遗传算法进行求解的方法,在此基础上设计了资源分配的机制。对该机制的仿真结果表明：将此机制应用到C-RAN构架网络中,能有效降低误码率,提升网络中用户公平性和吞吐量。     

硝酸热处理对NiCo2S4/炭布复合电极材料电化学性能的影响

先对炭纤维布(CC)进行不同时间的硝酸热处理,随后采用一步溶剂热方法在炭纤维布上沉积NiCo2S4纳米颗粒。结果表明,随着酸处理时间的延长,炭纤维表面粗糙度增加,含氧量增加。当酸处理时间为12 h时,NiCo2S4在其表面负载最均匀,复合材料的电化学性能最优,在电流密度为1 A g-1时,比容量可达1 298 F g-1,当增大到20 A g-1时,容量仍可保持为原来的89.7%。在5 A g-1电流密度下,循环次数达到3 000次时,容量保持率为95.3%。将所得复合材料作为正极,纳米炭纤维布(CNF)为负极,组装成具有自支撑结构的非对称超级电容器,在功率密度754 W kg-1时,其能量密度可达37.5 Wh kg-1。     

低成本制备高性能UHP石墨电极的研究

为提高UHP石墨电极使用性能并降低生产成本,采用固相粉体掺杂的方式生产UHP石墨电极,并对其全过程相关数据进行跟踪.实验结果表明,与相同条件下制得的未掺杂石墨电极相比,掺杂石墨电极的抗折强度和体积密度均有大幅提高.XRD分析结果表明,掺杂石墨具有高的石墨化度,这与掺杂组元的催化石墨化作用有关.石墨化度的提高使石墨电极电...     

家庭基站中基于随机矩阵的能量动态检测频谱分配机制

针对家庭基站和宏基站并存的情况下会导致相互干扰以及协调使用频谱需要信令开销问题,提出了一种基于随机矩阵的频谱分配机制。该机制将动态的检测空闲频谱点的频谱感知技术应用于家庭基站和宏基站共存网络中,家庭基站在一个时间段内接收各个频点上的信号,利用随机矩阵能量动态检测频谱可用性,实时感知网络中的频谱空洞,生成可借用频谱点集合,选择业务请求用户服务质量高的家庭用户借用该集合。该方法以复杂度为代价,避免使用信令交互找到可用频谱,从而减少了网络信令开销。仿真结果表明所提机制能够提高网络容量和公平性以及网络链路效率。     

基于ART2网络板材冲压成形难度评价系统的研究

提出板材冲压成形难度的评价体系和相关的评价模型,并引入板材冲压件破裂的局部成形度,建立其冲压成形难度评价系统。通过模糊综合评价的方法形成相应标准样本,研究自适应共振神经网络的结构和内部作用原理,应用其结合目标样本,给出用于板材冲压成形难度动态评价的分类评价算法,并就具体实例给出其预测结果。预测结果表明：板材冲压成形难度动态评价的分类算法,动态量化性的分析有效克服了基于传统人为评价分析的盲目性。     

护板多工位级进模设计

分析了护板件的冲压工艺性,介绍了护板级进模总体结构和排样方案。实践证明:该模具结构可靠,能保证产品质量,对此类零件的级进模设计有重要参考价值。     

发卡件多工位级进模设计

分析了发卡件的工艺性,其成形工艺包括冲裁、弯曲、胀形和压印等工序。通过加大弯曲角和在弯曲凸模上增加镦压带的措施,解决了可能发生的弯曲回弹干涉问题。介绍了其特殊级进模总体设计结构和工步排样方案。实践证明：该模具结构详细且合理可靠,保证了产品质量。     

填料种类对炭/石墨材料性能和微观结构的影响

分别利用炭黑、石油焦、针状焦和天然石墨粉为填料,煤沥青为黏结剂,经模压成型(150MPa,10min)、炭化(1300℃,1h)和石墨化(2300℃)制备炭/石墨材料.考察了填料类型对最终炭/石墨材料物理性能和微观结构的影响.研究结果表明:利用炭黑为填料所制材料具有较高的机械强度,但其导热和导电性能相对较差;经石墨化后(2300℃),其抗弯和抗压强度分别达到88.0和173.2MPa.而以天然石墨粉为填料所制材料具有较好的导热和导电性能,在室温下其导热率达到278W/m · K;另外,其抗弯和抗压强度分别达到51.1和90.2MPa.微观结构分析表明,以天然石墨粉为填料所制得的材料具有最大的微晶尺寸和高度的取向性.     

电子封装用石墨泡沫/Sn-Bi合金复合材料微观结构和热物理性能（英文）

以中间相沥青为原料,采用加压发泡法制备出不同结构和性能的高导热石墨泡沫。通过Sn-Bi合金高温熔融浸渍石墨泡沫,制备了电子封装用高导热石墨泡沫/Sn-Bi合金复合材料,系统研究了该材料的微观结构和热物理性能。结果表明,Sn-Bi合金均匀分散于石墨泡沫的孔隙结构中;复合材料的密度为3.83±0.01 g/cm~3,其热扩散系数达到163.1±3 mm~2/s,材料的热膨胀系数为8.08±0.02 ppm/K明显低于合金材料的20.7±0.02 ppm/K。通过石墨泡沫基体密度和结构的调控,可制备出低膨胀系数(8.08±0.02,16.4±0.02 ppm/K)的电子封装用高性能石墨泡沫/Sn-Bi合金复合材料。