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111.
近年来气候极端化,主要表现为冷时极冷、热时极热、没有平稳的温度过渡,空气调节系统即在这种大背景下应运而生;一方面对人们的生活带来了舒适,但另一方面又进一步的通过消耗资源而给环境带来更大的伤害。随着空气调节系统的广泛使用,其节能问题日益重要,这里即通过全面分析空气调节系统中存在的能源浪费问题,提出了一系列的节能方法和措施。  相似文献   
112.
113.
采用四球摩擦磨损试验机考察了负荷和转速对某种实用型羰基铁磁流变液的摩擦系数和磨斑直径的影响,测定了磁流变液的最大无卡咬负荷PB和烧结负荷PD,用扫描电子显微镜观察了磨痕表面形貌,探讨了磁流变液的摩擦磨损特性。结果表明,磁流变液的摩擦磨损性能随负荷和转速的增大而增加。负荷的高低决定磨粒磨损的机理,而转速的大小决定同种机理下磨粒磨损的程度。低负荷下为微观切削,高负荷下为粘着磨损和疲劳磨损。该磁流变液的PB和PD值分别为294N和1569N。  相似文献   
114.
耐高温导线具有良好的高温稳定性、高温绝缘性、耐腐蚀性、磁电特性与弯绕性等优点,在传感器中用于传输信号、控制电流等。目前,进行高温测量的传感器使用温度要求高达600℃以上,传统耐高温导线已经无法满足使用要求。所以,提高耐高温导线温度特性刻不容缓。文章综述了传感器用耐高温导线材料与结构、制作过程关键工艺及研究进展,并对耐高温导线材料性能提升与发展方向作出了展望。  相似文献   
115.
重点阐述了水泥立磨磨辊耐磨层的堆焊工艺方案及成型、焊接等关键技术,包括选择堆焊材料,确定焊接参数,检验堆焊质量检验等方面.提出了放置焊接缺陷的技术途径和措施,对焊前准备、清理要求及焊接过程等各阶段进行了质量控制,试验和生产表明:说采取的技术途径和措施完全适用于磨辊耐磨层的堆焊与加工.  相似文献   
116.
为了提升密封圈的耐用性,设计一种新型密封结构.运用ABAQUS对舌形密封圈进行非线性模拟仿真;运用正交试验与极差分析法分析结构参数对密封性能的影响;以接触应力作为密封性能的评价标准,得到舌形密封圈的结构参数对密封性能的影响由大到小依次为:舌张角、舌宽、厚度;极差分析得到最优组合,并通过仿真分析对最优组合进行验证.  相似文献   
117.
单相级联型静止无功发生器(SVG)作为一种理想的动态无功补偿装置,快速的电流跟踪速度及直流侧电压平衡是其控制的难点。提出了单相级联型SVG的整体控制策略,针对传统单相电流跟踪控制存在的不足,改进传统电流内环解耦方法中的电流延时构造方法,两相静止坐标系中卢轴电流分量直接由与实际电路等效的虚拟卢轴闭环控制得到,在d,q旋转坐标系下采用PI控制即可实现无功电流指令的快速无静差跟踪,提高了系统的动态响应速度;采用电压排序的直流侧电压平衡控制方法,保证了级联型SVG正常工作模式下各模块间的直流侧电压平衡。搭建了仿真平台及实验样机,仿真和实验结果验证了所提控制策略的正确性和有效性。  相似文献   
118.
利用连续沉积的包埋渗法,在钼表面制备了(Ti,Mo)Si2/MoSi2复合涂层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、能谱仪和热力学计算对涂层进行了表征与反应机理分析。结果表明,共沉积法无法实现Ti的有效沉积。先渗Ti、再渗Si的两步沉积工艺能有效制备Ti改性硅化物涂层。涂层分为3层,最外层为(Ti,Mo)Si2三元化合物层,次外层为MoSi2层,次外层与基体间为Mo5Si3过渡层。渗硅温度对涂层结构无明显影响。Ti改性硅化物涂层的生长速率略低于单一渗硅涂层的生长速率。(Ti,Mo)Si2/MoSi2复合涂层的形成由Ti、Si内扩散控制。Ti元素集中在涂层表层,Si元素通过(Ti,Mo)Si2化合物层与基体作用形成MoSi2层和Mo5Si3过渡层。渗Ti过程中,埋渗料间反应会引入游离态铝氟化物AlF3。在随后的渗硅过程中,游离态Al以Al3Mo的形式在(Ti,Mo)Si2层中靠近MoSi2层的上界面处析出。在1200 ℃周期性氧化过程中,(Ti,Mo)Si2/MoSi2复合涂层持续循环氧化180 h后未出现明显失重。(Ti,Mo)Si2层氧化形成的SiO2与TiO2致密复合氧化层能填充涂层表面裂纹,持续阻碍氧扩散,因此其在周期性氧化环境下的抗氧化性能显著优于单一渗硅涂层。  相似文献   
119.
1引言 自20世纪90年代中期研发出Al2O3含量60%~65%、比重2.8~3.0的耐磨瓷球、衬砖以来,由于在建筑陶瓷企业使用取得了明显的增产节电效果,因而在建卫陶瓷全行业得以推广应用,并由此促进了耐磨陶瓷产业发展。在这样的大背景下,耐磨陶瓷市场需求结构必将随之调整、变化,对原有的铝矾土质耐磨陶瓷产品进行改进、成为必然,故而,研究开发并推广应用新一代耐磨瓷产品十分重要。  相似文献   
120.
周西  刘奇 《通信技术》2009,42(11):173-175
由于三维数据场中各点间的距离不一致,特别是层间距离往往要比同一层的像素间的距离大很多,所以在进行任意方向的虚拟切片的提取时要进行三维插值,文中介绍了在虚拟切片提取中常用的三种插值算法:最近邻点插值、三线性插值以及三立方插值,并对这三种方法所得的切片图像进行了比较。最后讨论了这三种算法的各自的优缺点及适用范围。  相似文献   
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