P－MOSFET的TEM研究

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人...     

洛伦兹显微术及Sm－Co基合金磁畴研究

介绍了用于磁畴观察的散焦和移动光栏法的洛伦兹技术，并且用这种技术观察了永磁材料Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７中的畴壁。研究表明，峰时效的Ｓｍ（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿７合金磁畸宽度在几百纳米到几微米之间，其畴壁的走向沿Ｓｍ＿２（Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ）＿１７（２：１７）相边界，即沿着１：５相，而经８５０℃、１０ｈ的过时效处理后，在２：１７相的基体上１：５相生长成较大的条块状。此时，畴壁的走向不再沿１：５相，畴结构与其组织没有明显的对应关系。     

SOI键合材料的TEM研究

用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧密，在界面上没有观察到缺陷和孔洞。     

涤／粘着色烂花布的研制

本文就涤粘着色烂花布的工艺设计与生产实践的全过程作了较为详细的介绍，并就其在生产工序听工艺要点、关键技术提出了相应的改进措施，供产品开发合宜参照。     

透射电镜用掺杂钨丝薄膜试样制备的新方法

掺杂钨丝组织和结构的直接观察,关键是在于如何制备出可供透射电镜观察用的合格的试样。本文总结了作者的经验,介绍了几种制备直径为6.5～0.15毫米钨丝试样的方法。这些方法的原理,对于其他金属丝材,也很有参考价值。     

静液挤压Zr形成位错亚结构的特殊形态

本文用高压电镜研究了Zr在高静液压下,挤压变形后形成的位错亚结构。在10％变形率下,位错以复杂二维纠结形态密集于(1010)活动滑移面上;到30％变形率时,发展为以这些活动滑移面为界面,间距0.5μm左右的平行片层结构。在1200MPa下挤压70％后,普遍形成形态清晰、界面位向差达3—5°以上的片层状亚晶群。亚晶群从其晶体学特征上分成两类:一类是在早期变形时形成的平行(1010)面的亚晶的基础上,进一步发展起来的倾侧型亚晶;另一类亚晶界面平行于基面(0001),并呈扭转晶界特征。后者比前者数量更多,厚度更小(0.1—0.3μm),但在较小变形量下不出现。通过与常规拉拔Zr的比较,可以肯定上述现象是静液挤压条件下形成的特殊的位错亚结构,高静液压对位错热激活运动的影响可以解释这种特殊亚结构的形成。     

旋转关节型堆垛机的运动轨迹分析

堆垛机是物流设备之一,在物流工程中占有重要地位.文章介绍了4自由度堆垛机的结构特点,通过示教再现作业和运动轨迹规划,对堆垛机的动作进行了分析研究.     

Rare Earth Compounds in Cemented Carbides with Trace Rare Earth Additions

The morphology,structure and distribution of the rare earth compounds in the YG8R.YT5R and YT14Rcemented carbides with additions of trace light rare earths were studied with an analytical electron microscope.The particles of the rare earth compounds in these alloys are all spherical and distribute at interfaces betweenthe Co-cement phase and WC hard phase or(TiW)C solid solution,and in the(TiW)C solid solution.In theYG8R and YTI4R alloys,the rare earth compound is RE_2O_3 with a bcc structure,while in the YT5R alloy.the rare earth compound is RE_2O_2S with a hcp structure.