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61.
综述了近年来碳化硅颗粒(SiCp)和碳化硅晶须(SiCw)增强铝基复合材料的发展,尤其是铝锂基复合材料的发展。SiC/Al复合材料的制造方法有铸造法、粉末冶金法、溅射沉积法等。碳化硅和铝的界面结合良好,由于碳化硅和铝的热膨胀系数相差六倍,因而在生产及热处理过程中收缩差所产生的错配应变会在基体中产生大量位错。人们认为,高密度的位错是SiC/Al强化的主要因素。 相似文献
62.
We have observed some kinds of defects in unseeded rapid zone-melting-recrystallized(RZMR)Si filmsformed with a RF-induced graphite strip heater system,using cross-section specimen electron microscope.Theobserved defects are subgrain boundaries(SGB),dislocations and microtwins.The most commonly observeddefects are SGB which formed as a result of some orientation differences between adjacent grains during theirrapid self-nucleation growth.Mixed type SGB were frequently observed,although some pure tilt or twist SGBexisted also in the Si films.The rotation angular component around the axis parallel to scanning direction ismuch larger than that around other axes.SGB consist primarily of arrays of dislocation and havecrystallographic angular deviations of one degree or less.During Si film cooling,dislocations and microtwinswere formed due to non-uniform thermal stress.The crystallographic characters of the dislocations in Si filmsare the same as those in common bulk Si single crystals.Their Burgers vectors are b=a/2<110>.Some dis-locations run across the Si film,and the amorphous SiO_2 layers on and underneath the Si film can effectivelyblock the dislocations and prevent them from entering the layers.Microtwins were observed in the Si filmssometimes,the twinning planes being{111}. 相似文献
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64.
EfectofTiContentonPropertiesofAlTiAloyFilmforAddresLinesofTFTLCDsWuLijun,XiaHui,LiuAnsheng,HanXueandLuBiao(吴丽君)(夏慧)(刘安生)(韩雪... 相似文献
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