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一种可擦写可读出的分子基电双稳器件 总被引:2,自引:0,他引:2
报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4/Al,其中BN4为分子材料.该器件在较强电场(约为6 V)作用下表现为高阻态("0"态),阻值大于105 Ω;而在较弱的电场(<2 V)作用下则为低阻态("1"态),阻值约为102 Ω,两种状态的阻抗比103~105.改变外加电场的大小,器件的两种状态随之发生多次转变,转换次数可超过103.高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲(0.2 V)来读取.这种简单器件具有可擦写可读出功能,可用于制作分子基开关和分子基存贮器. 相似文献
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本文对倍频藕合波方程作二阶近似到位相失配△K的二次幂.由倍频藕合波方程直接讨论激光功率密度P、晶体长度L和相位失配△K对倍频转换效率η的影响.倍频藕合波方程中的位相失配项为AΔK~2L~2E_1E_2和-A′ΔK~2L~2E_1~2.A′和A是常数,E_1和E_2是电场振幅.位相失配项越大,倍频反向转换越强.随着L和P的增加,由于位相失配项周期性变化,倍频转换效率周期性变化.P或L越大,ΔK对η影响越灵敏。当 相似文献
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采用MIG焊接方法,对2205双相不锈钢进行了不同热输入条件下的焊接试验,对焊接接头的显微组织进行了观察与分析,并对其力学性能进行了测试.结果表明:不完全重结晶区中带状奥氏体边缘起伏随热输入的增大逐渐增强,宽度逐渐增大;焊缝中心的奥氏体大多为等轴状的块状奥氏体,而靠近熔合线则主要为魏氏奥氏体,随着热输入的增大,魏氏奥氏体逐渐减少,而块状奥氏体逐渐增多;随着热输入的增大,焊接接头的抗拉、屈服强度均有轻微降低,而断后延伸率略有升高;焊接接头的显微硬度从母材到焊缝金属先升高后降低,热影响区的显微硬度最高,硬度的变化与焊接接头各区域中奥氏体体积分数有关,随着热输入的增大,各区域中奥氏体体积分数逐渐升高,显微硬度则相应有所降低. 相似文献
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