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为了提高全息水印抗几何攻击的鲁棒性,将图像配准应用于全息信息隐藏中,通过图像特征点匹配对受到几何攻击的图像进行校正,得到准确的水印信息。首先,原始灰度图像经过菲涅尔衍射得到全息图,经过Arnold变换之后嵌入到载体图像小波变换后的高频细节子图中。当嵌入水印的图像经过缩放、平移、旋转等几何攻击后,通过图像配准方法得到校正后的水印载体图像,然后再提取出全息图,进而重建原始图像。这种方法提取出的全息图重建的水印图像质量较高,极大地提高了图像的抗几何攻击性。 相似文献
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针对雾化过程中易被中断的情况,通过对雾化过程中喷嘴中轴气流场压力分布的测量和分析,对喷嘴系统进行了改进,即将导液管装入喷嘴并延伸人喷嘴中轴气流场负压区。结果表明,雾化过程稳定,雾化制粉效率提高。 相似文献
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采用冷等离子弧在大气压下以六甲基二硅氧烷为单体制备SiOx超疏水薄膜,研究不同工艺参数对薄膜的结构性能影响。通过傅里叶红外光谱(FTIR)对SiOx薄膜进行了结构分析、通过原子力显微镜(AFM)和数字光学显微镜分析了SiOx薄膜的表面形貌、通过接触角仪测试了所沉积的SiOx薄膜亲/疏水性。在较为详细的研究冷等离子弧制备工艺参数对薄膜的影响后,如基片高度、单体输入量、沉积时间等,我们得到,在基片高度为10cm、单体输入量为90mL.min-1、沉积时间为2min时,可以制备出接触角为160°以上的SiOx超疏水表面。 相似文献
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采用23kHz脉冲电源,以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,氧气为反应气体,氩气为辅助气体,利用平行板式电容耦合等离子增强化学气相沉积装置在PET基底上制备高阻隔无机氧化硅薄膜.通过等离子发射光谱及四极杆质谱仪的实时在线诊断,对等离子体中的中间产物及活性物种进行检测.沉积薄膜的化学结构采用傅里叶变换红外光谱仪进行分析,同时测量了所制备薄膜的透氧率.结果表明,随着氧气含量的增加,等离子体中的碳氢化合物及氧化物含量增加,这说明,此时等离子体中存在较强的碳氢化学反应及氧化反应.在氧气含量较高时,薄膜有机成分较少,属于无机氧化硅薄膜.薄膜透氧率测量显示,在氧气与单体比率为50%时达到最小值1.71cc·m-2·day-1·atm-1. 相似文献
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具有低失真、强鲁棒等特点的直方图数字水印算法,一直是信息隐藏领域研究的热点.本文在分析现有直方图数字水印算法的基础上,提出并设计了基于直方图修改的2Bin多进制图像水印算法.以三进制为例,设计实现了2Bin三进制图像数字水印算法.在设计的算法中,根据嵌入的水印信息容量和载体图像的大小调整算法嵌入阈值,在维持直方图相邻2Bin高低形状不变的情况下,确定修改像素数目以及分块策略,实现水印信息的嵌入和提取操作.实验结果表明,该方法能够智能均衡载体图像质量和水印容量,同现有算法相比,大大提高了水印嵌入容量和水印嵌入后的图像质量,且能抵抗裁剪、旋转等传统的几何攻击和信号处理攻击. 相似文献
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