机械合金化制备超细、纳米晶CuCr触头材料的探讨

分析探讨了机械合金化工艺制备超细、纳米晶CuCr材料中的晶粒尺寸、氧含量和材料密度控制等主要问题，提出了一种低成本制备高性能CuCr触头材料的新思路，即添加高性能晶粒长大抑制剂 普通真空烧结工艺。     

用户变配电所停电检修存在的问题

前言 《电业安全工作规程》(以下简称《安规》)(发电厂和变电所电气部分)总则中规定:本规程适用于发、变、送、配、农电和用户电气设备上工作的一切人员(包括基建安装人员)。因此,用户(企事业单位)变配电所的停电检修工作也应严格执行《安规》规定,履行保证安全的组织措施和技术措施。但是,用户变配电所的停电检修工作存在着许多问题,无法完成保证安全的组织措施。     

基于进化规划的神经网络群的设计方法

提出一种基于进化规划的神经网络群的自动设计方法．该方法不仅使得神经网络群中的个体网络倾向于完成不同的子任务，同时各神经网络个体在进化过程中不断寻找最好的协作关系，而且神经网络群的规模和结构不需预先设定．仿真试验表明，该算法是有效的。     

基于Java的农田节水灌溉监控系统的设计与实现

针对我国目前农村水费计收存在的不合理性,以及农田灌溉中的大漫灌浪费水资源问题,介绍了一种农田节水灌溉监控系统的实现技术,描述了系统的结构、监控中心的功能和实现方法;并应用Java技术设计了一套远程监控中心系统软件,该设计方案应用Java面向对象的技术,可方便地跨平台应用,具有较高的可扩展性。实践表明：该系统使用方便,并且能够满足各项性能指标要求,显示了Java技术在灌溉监控系统中广阔的应用前景。     

“十二五”重庆秀山工业转型升级的形势研判

秀山工业经过“十一五”的积累和沉淀,正处于重化工业阶段,“十二五”期间面临着向“民生导向、开放引领、集群发展、创新驱动、低碳排放、智能生产、融合互动”迈进的艰难和抉择;如何传承“十一五”的基础和经验进而实现“十二五”的转型升级,需要我们有清晰的形势研判和科学的顶层设计。     

3DS文件读取、绘制与控制方法的研究与应用

OpenGL是一种强大的三维图形开发工具,3DS格式是一种通用的保存三维模型的格式,基于OpenGL对3DS模型文件的读取、绘制与控制方法进行了研究.分析了3DS文件结构,并根据块结构格式抽象出用于读入数据的面、材质、物体和模型的数据结构.基于递归的方法对文件数据进行了读取,读入的数据经过数据处理后在屏幕上进行渲染.通过平移、旋转和缩放这3种矩阵变换和OpenGL选择机制实现了对模型的交互控制.基于上述方法开发了井下作业操作仿真与演练系统,取得了良好的效果.     

基于SOM和引力场聚类的金融数据可视化

平行坐标技术是信息可视化中重要的分析手段,可以实现多维数据在二维空间上的可视化.为了给用户提供一种快捷、方便的金融数据可视化及分析工具,提出一种基于引力场聚类的金融数据可视化方法.首先利用自组织映射(SOM)对初始金融数据进行分类,使每类数据都含有特定的经济意义;然后进行视觉聚类,利用引力场原理对每个类中的折线进行聚拢,对类与类之间进行排斥,再通过设置不透明度以及交互操作等手段对可视化结果进行增强.实验结果表明,该方法可以形成清晰的可视化聚类结果,便于发现数据的变化规律.     

Sm3+掺杂SrBi4Ti4O15–Bi4Ti3O(12)压电陶瓷的结构、电学和光致发光性能

采用固相法制备Sm³⁺掺杂SrBi_8–xSm_xTi₇O(27)(SBT–BIT–x Sm³⁺, 0≤x≤0.50)共生铋层状陶瓷,研究了不同掺杂量的Sm³⁺对样品的结构、介电、压电以及光致发光性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均为单一的共生铋层状结构,XRD精修和Ramam结果显示Sm³⁺掺杂引起样品晶格畸变的减小,适量的Sm³⁺掺杂降低了介电损耗tanδ,提升了压电常数d33,当x=0.30时,综合电性能最佳:压电常数d33=16.3 pC/N,tanδ=0.90%。在407 nm近紫外光的激发下,SBT–BIT–x Sm³⁺陶瓷样品在598 nm处存在最强的红橙光发射,当x=0.15时,发光强度达到最佳,Sm³⁺掺杂SBT–BIT共生铋层状陶瓷在光-电多功能器件等领域中具有潜在的应用前景。     

320 nm AlGaN肖特基型紫外探测器的研制

制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350～400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350～400 nm之间深能级响应谱出现的原因。电流-电压测试结果表明理想因子在2以上,说明正向输运机制中存在由缺陷能级引起的复合电流,电容平方倒数对电压斜率的变化表明在该探测器本征层中存在由缺陷引起的深能级响应。两种测试分析结果均表明该响应由本征层中的缺陷引起。