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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟 总被引:2,自引:3,他引:2
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现.模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应,漏端击穿电压也有显著提高.这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容. 相似文献
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一种基于双Servlet控制器的MVC模式的设计与研究 总被引:1,自引:0,他引:1
MVC模式是开发Web应用程序的一种重要方法。文中首先简要介绍了通常的MVC模式及其运行过程,然后在此基础上提出了一种改进的MVC模式,即一种含有两个Servlet控制器的混合型MVC模式,并详细介绍了这种模式的设计和实现,最后分析了这种改进后的新模式的性能和特点。 相似文献
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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性 总被引:4,自引:2,他引:4
对氮化 H2 - O2 合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究 ,将 H2 - O2 合成和氮氧化栅两种技术结合起来 ,充分利用两者的优点制成三层结构的 Sandwich栅 ,对比常规氧化、H2 - O2 合成氧化和氮化 H2 - O2 合成氧化三种方式及不同退火条件 ,得出氮化 H2 - O2 合成氧化方法抗辐照性能最佳 ,采用硅化物工艺加快速热退火是未来抗辐照工艺发展的趋势 ;并对氮化 H2 - O2 合成栅的抗辐照机理进行了研究 相似文献