光纤布喇格光栅的压力增敏封装研究

将光纤布喇格光栅置于两种均匀混合的有机聚合物基底中，并对其进行压力敏感研究，由于聚合物基底的带动作用，在0～10MPa内，封装后的光纤布喇格光栅元件压力敏感系数为裸光纤光栅的60．1倍，在0～30MPa内，封装后的光纤布喇格光栅元件压力敏感系数为裸光纤光栅的38．4倍。     

设备内热源的红外无损辨识研究

用逐层比较的方法对二维内热源及其温度场分布进行了重构,通过数值试验验证了该方法的正确性.通过对计算结果的分析,发现该方法能够很好的用于内热源的重构以及任何一类反问题的求解.当测量结果精度较高时,该方法的计算结果非常准确.因此,可通过热电偶测量和红外扫描相结合的方法,来提高测量准确性,以达到较好的辨识结果.     

智能材料结构自修复的策略研究

并非结构的任何微小损伤都会加以维修,即结构损伤修复的实时性要求要弱于诊断的实时性。对智能材料与结构在实时获得结构诊断信息条件下的自修复策略问题进行了研究,应用马尔可夫过程描述智能材料结构的劣化过程,以单位时间费用最低为目标的自修复策略,给出了计算修复阀值的具体算法并用具体的实例说明了计算过程。     

基于全局背景与特征降维的视觉跟踪算法

相关滤波算法容易受到形变、运动模糊、相似背景等因素的干扰,导致跟踪任务失败。为了克服以上问题,该文提出一种基于全局背景与特征降维的视觉跟踪算法。该算法首先提取紧邻目标的图像区域作为负样本供分类器学习,以抑制相似背景的干扰;然后提出一种基于主成分分析的更新策略,构建降维矩阵压缩HOG特征的维度,在更新分类器的同时减少其冗余度;最后加入颜色特征表征运动目标,并根据特征对系统状态的响应强度进行自适应融合。在标准数据集上将该文提出的算法与Staple, KCF等其他算法进行了仿真对比,结果表明该文算法具有更强的鲁棒性,在形变因素的影响下,所提出的算法与Staple和KCF算法相比距离精度分别提升8.3%和13.1%。     

基于PI湿敏薄膜的分布式光纤Bragg光栅湿度传感器

研究了基于聚酰亚胺（PI）湿敏薄膜的分布式光纤Bragg光栅（FBG）湿度传感器。传感器利用PI薄膜湿膨胀效应,将湿应变作用于Bragg栅区,从而改变光纤FBG湿度传感器中心波长的原理,实现了对26-98％RH范围内环境相对湿度的监测。通过改进PI湿敏薄膜的制备及涂覆工艺,有效提高了FBG湿度传感器性能,并采取了相应温...     

掌控时代脉搏 引领视讯新潮流——专访科达行业视频会议产品线总经理朱曙

延续2010年迅猛发展态势,2011年视频通信领域依旧风云再起．从年初的免费风潮到网真系统的崛起再到移动3G和云计算的应用,乃至于开放协议的渐趋普及等等．特别是在电信运营商加大增值业务投入的推动下．视频通信行业将摆脱桎梏朝向多元化飞速发展。     

光纤光栅传感网络的优化研究

光纤光栅传感网络在大型复杂结构健康监测中具有广泛的应用前景,对光纤光栅传感网络优化的研究具有重要的意义。分析了结构健康监测中光纤传感网络优化布局和可靠性的研究现状,对光纤传感网络优化中的传感器优化布局与光纤传感网络可靠性两方面进行研究。通过对结构响应特性研究,提出了对结构静力响应参数监测时,传感器布局的一般规则。将概率计算引入光纤 FBG 传感网络不同拓扑结构,给出了基于不同拓扑结构的光纤传感网络形式及其可靠性数值分析。     

IGBT模块超声检测缺陷判据研究

焊层缺陷是影响功率模块寿命和可靠性的主要因素之一,主要采用有限元仿真的研究方法,模拟了焊层缺陷位置、大小等因素对IGBT模块热性能的影响,得到不同的缺陷情况与模块热性能的对应关系并进行拟合,计算出焊层空洞大小临界值,提出了一种IGBT模块超声检测缺陷判据标准。芯片-基板焊层单个空洞率需≤2%,基板-底板焊层单个空洞率需≤2%,芯片-基板焊层整体空洞率与基板-底板焊层整体空洞率之和需≤10%。     

高斯过程模型在SAR图像目标识别中的应用

将高斯过程模型应用于合成孔径雷达（SAR）图像目标识别。高斯过程模型是基于贝叶斯框架的统计学习算法,通过结合核函数和和概率判别构建分类模型。与传统分类模型相比,高斯过程模型可以获得更高的分类效率和精度。方法实施过程中,采用SAR图像的特征矢量作为输入,以目标类别标签作为输出训练高斯过程模型。对于待识别样本,通过计算其在高斯过程模型下属于各个类别的后验概率判定其目标类别。实验中,依托MSTAR数据集在典型条件下开展测试。根据实验结果,所提方法在标准操作条件下对10类目标识别精度达到99.28%;在30°和45°俯仰角下的平均识别率分别为98.04%和73.13%;在噪声干扰各个信噪比条件下均保持最高性能。实验结果验证了所提方法的有效性和稳健性。     

ZnS:Er量子点材料制备及其受激发光特性研究

在水性介质中,制备了ZnS：Er量子点,并对其的X射线（XRF）谱、X射线衍射（XRD）谱、透射电子显微镜（TEM）图像和光致发光（PL）谱进行了研究,确定了所制备的ZnS：Er量子点材料中Er的浓度,观测到ZnS：Er量子点呈粒径为4nm的近球型结构。利用LD激发,在LD不同电流强度下得到ZnS：Er量子点从波长1500nm到1650nm的宽谱发射,并随着电流强度的增加ZnS：Er量子点的发射强度明显增加,当电流强度达到1．5A时,1545nm波长处的发射峰更明显。