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991.
史远通  张奇 《含能材料》2015,23(4):330-335
利用LS-DYNA对燃料空气炸药(FAE)装置中心装药不耦合系数(De)的最佳值、中心装药偏移和壳体单侧弱化所引起的燃料抛散的非对称性特征进行了研究。计算结果表明:中心装药的不耦合系数并非越大越好,在本研究中,De=2时最佳;中心装药负偏移2 mm时,燃料在正方向抛散速度增大6 m·s-1,在负方向的抛散速度减小13 m·s-1,负偏移量增大,负方向抛散速度减小和正方向抛散速度增大的趋势更加明显,说明中心装药的偏移对FAE燃料的抛散有同向抑制,反向促进作用;FAE装置壳体出现单侧弱化时,装置两侧燃料的抛散速度都降低,同等条件下,采用聚氯乙烯壳体的FAE装置两侧燃料抛散速度减小程度小于采用钢制壳体的FAE装置,这说明速度的减小在使用弱约束时表现轻微,使用强约束时表现显著。  相似文献   
992.
针对太阳能电池工作原理的特殊性,提出了一种多电平光伏并网逆变器输出能量最大化的设计方法,在以单位功率因数输出高质量电流波形的同时,保证了太阳能电池电势能的不间断输出。同时给出一种有效的正弦脉宽调制(SPWM)方案,通过改变基本逆变单元的连接方式,实现六电平输出。仿真和实验结果验证了该设计的可行性和有效性。  相似文献   
993.
两种加辅助网络的全桥变换器的损耗对比分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在传统移相全桥变换器拓扑上加入由电容和电感组成的无源辅助网络,可以在宽输入电压和整个负载范围内实现原边开关管的零电压开关(zero voltage switching,ZVS)。通过精确的损耗计算,可以寻找降低损耗的方法,优化电路结构以进一步提高变换器的效率。针对加辅助网络的全桥变换器进行深入完整的损耗分析,提出一种新颖的简化损耗分析模型及其详细计算公式,并以采用型辅助网络和采用Y型辅助网络的两种变换器为对象,进行详细的损耗分析和对比。最后通过实验验证本文理论分析的正确性。该文对于深入研究全桥直流变换器具有一定的参考价值。  相似文献   
994.
交联聚乙烯(crosslinked polyethylene,XLPE)电缆运行数年后其绝缘层内部普遍会出现水树缺陷,电缆修复是提升运行电缆绝缘水平合理有效的方法.对工业运行电缆进行了绝缘修复,修复时使用压力注入系统从电缆样本缆芯注入硅氧烷修复液,修复液渗透到绝缘层中与水树缺陷中的水分发生反应,生成一种有机硅树脂对水树空洞进行有效填充,达到水树修复的目的.之后对工业运行电缆样本进行了电镜能谱分析、通大电流实验以及工频击穿实验,并使用仿真软件对水树区域进行了电场仿真.结果表明,修复液能迅速渗透到绝缘层内部并有效地修复水树缺陷,改善水树区域电场分布,抑制水树进一步生长,提升其击穿电压,且对运行电缆散热及通流能力没有影响.通过分析研究发现,硅氧烷修复液能安全、迅速、有效地提升工业运行电缆的绝缘水平,延长其使用寿命.  相似文献   
995.
直流系统接地故障检测中常用的低频信号注入法容易受到各支路电缆中存在的对地电容的影响,在其基础上比较了基于复值小波变换和Morlet小波变换的检测方法,它们可以有效地克服对地电容的影响.当接地故障发生后,向直流系统正负母线注入低频正弦电压信号,利用套在各支路的电流互感器检测出支路中的低频电流信号,通过小波变换算法从中提取出与注入信号同频的正弦电流信号,计算出该电流信号中的阻性分量即可求得该支路的接地电阻值,从而可以判断出故障支路.经过MATLAB仿真分析,比较这两种方法,证明他们在对地大电容情况下都可以准确提取出低频电流相量特征,正确判断出故障支路.  相似文献   
996.
抑制剂对纳米WC-10Co复合粉末烧结性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
史晓亮  邵刚勤  段兴龙  林华幌  袁润章 《硅酸盐学报》2004,32(12):1511-1514,1533
以液相复合-连续还原碳化方法制备的纳米WC-10Co(以质量计)复合粉末为原料,选择VC和Cr3C2作为超细WC-10Co硬质合金晶粒生长抑制剂,研究晶粒生长抑制剂加入量对超细WC-10Co硬质合金组织、晶粒和性能的影响。实验结果表明:超细WC-10Co硬质合金中WC晶粒度随着晶粒生长抑制剂加入量的增加而减小,纳米WC-10Co复合粉中加入0.4%VC和0.4%Cr3C2(以质量计)晶粒生长抑制剂,经1380℃真空烧结60min,1320℃低压处理30min后,可以得到平均晶粒度380nm、断裂强度3.55 GPa和Rockwell A硬度92.6综合性能较好的超细WC-10Co硬质合金。过多添加晶粒生长抑制剂反而降低了超细WC-10Co硬质合金的性能。  相似文献   
997.
结合多层框架结构设计,介绍预应力混凝土结构预应力钢筋计算,预应力损失,次弯矩计算,截面复核,局部受压计算及构造措施。  相似文献   
998.
碳纳米管场发射显示器特性测试方法的研讨   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器样管。改变常用的驱动电源电压测试为器件电压测试,得到非常理想的伏安特性曲线和发光特性曲线。从测试结果分析可知,直接测量碳纳米管场发射显示器的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。从电子场发射的角度看,实际的碳纳米管场发射伏安特性曲线应比测试的伏安曲线更陡。  相似文献   
999.
碳纳米管场发射阴极的厚膜工艺研究   总被引:6,自引:1,他引:5       下载免费PDF全文
研究了制备碳纳米管(CNT)场发射阴极的厚膜工艺,通过浆料配方和烧结工艺等方面的探索,在Si基底上制作了均匀、平整、场发射特性良好的CNT厚膜。CNT厚膜工艺研究表明,CNT浆料中银浆的最佳比例约为4.2%,最佳烧结温度为480℃(空气中),才能保证厚膜有较强的附着力,CNT又不至于全部氧化。银浆比例过大,则使高电压时场发射电流明显下降,通过对CNT厚膜的场发射特性测量得知,其开启电压为2.4V/μm,在5V/μm的电场下,场发射电流密度为27.8μA/cm^2,但发光显示情况不佳,通过使用含有机粘结剂的浆料,使显示发光情况得到了很大改善。  相似文献   
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