部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻实验设计

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。     

GA615H-75织机吊综装置改造

分析了GA615H－75织机综框受力情况，对吊综进行的改造和所取得的效果作了介绍。     

自由基链转移反应下的聚合度分布的教学解析

自由基聚合中链转移反应对聚合度的分布有影响,有无链转移时的聚合度分布的推导是其中的教学难点.本文利用动力学链长及链转移次数表达的成键概率法对自由基聚合中有无链转移反应时的聚合度分布做了研究,得到了有链转移的歧化终止与偶合终止的数均聚合度与重均聚合度的表达式,其推导过程有助于加深对该部分内容的理解和掌握.     

高职院校学生运动损伤调查分析

通过对两所高职院校部分学生进行问卷调查,发现在校学生中有过运动损伤的比例较高,其中绝大多数运动损伤都发生在业余锻炼时段,这对学生参与锻炼的热情产生了一定影响。通过分析研究,提出了预防运动损伤的建议与对策。     

水电站地下厂房通风空调技术综述

1前言 20世纪70年代，因石油危机对全球能源供应的冲击，水电建设在世界上十分活跃。之后，由于公众对热力发电所产生的温室效应的深入认识，又进一步促进了包括水电在内的可再生能源的发展，为水电发展注入了新的活力。     

热电偶安装孔不移位的技术措施

阐述与仪表热电偶相关联的安装注意事项以及如何解决问题的方法.     

铸管用型式试验机的研制开发

离心球墨铸铁管目前已普遍使用,常用接口为插入式柔性接口,接口承受载荷,工作状态下接口的密封性、可靠性是用户关注的问题.公司设计的型式试验机,为用户使用提供数据.     

对普通高校篮球教练员的知识结构与能力探讨

对于普通高校篮球教练员来讲，除了具有丰富的专业知识、实践经验外，还要学习与运动训练相关的多学科理论，加深和拓宽训练视野，更好地将现代化训练手段运用到实践之中。除了掌握多学科的知识外，还应具备多方面的工作能力和优秀的品质。     

基于肤色与改进的Adaboost的人脸检测

针对传统的Adaboost算法检测速度块,准确率低的问题,提出一种基于肤色与改进的Adaboost算法以提高人脸检测的正确率。该算法首先利用肤色特征快速排除绝大部分背景区域,然后在肤色区域中利用快速积分图提取人脸的Haar特征,接着使用阈值设定的方法对传统的Adaboost算法进行改进,并将每次检测的最优分类器级联形成最终的强分类器,通过强分类器对Haar特征判别,检测出人脸部分。实验证明该算法有效的提高了人脸检测的准确率。     

基于OLAP网络数据信息存储研究

联机分析处理是一项共享多维信息、针对某些特定问题进行联机数据访问和分析的计算机技术,是OLAP网络数据信息存储系统最主要的应用。它通过对信息不同的观察形式进行迅速、稳定和可交互的存取,协助管理决策者对历史数据进行深入观察。决策数据一般是面向多维的,多维数据是决策的主要内容。