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提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4%. 相似文献
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<正>一、概述某水库大坝为均质土坝,坝高18.5m。坝身填土主要为中~重粉质壤土、粉质粘土局部填土中夹砾石,填土多呈软~可塑状。大坝修建于上世纪60年代,筑坝施工主要采用人工挑抬、分队分组作业。填土主要是就地取材,坝身填土土料混杂、不密实,局部 相似文献
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目的 :探讨B超引导下塞丁格技术置入中等长度导管在放疗科静脉输液治疗患者中的应用及护理。方法回顾性分析34例采用B超引导下塞丁格技术置入中等长度导管患者的临床资料、置管操作流程、置管后健康宣教、并发症的预防及处理。结果34例患者穿刺成功率100%,导管留置时间5-33d,平均21d。其中1例因带管期间擅自离院,拒绝按照维护流程进行冲管、封管而发生导管堵塞。其他患者均安全置管至治疗结束后拔管。结论B超引导下塞丁格技术置入中等长度导管为患者提供了安全可靠的血管通路装置,保证了患者治疗的连续性,提高了患者置管的成功率,操作简单、创伤小、并发症少,延长了导管留置时间,减轻了患者反复穿刺的痛苦,降低了护士的工作量,减少了患者的经济成本,提高了患者满意度。 相似文献
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由于锰在钢铁中起着不可低估的作用,而钢铁的品种不同,锰元素的含量也有很大差异。本文主要介绍了一种用硫硝混酸溶解钢铁样品,然后用火焰原子吸收光谱法以系列标钢样品绘制标准曲线来测定其锰含量的新方法。 相似文献