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11.
InN和GaN系衬底材料的研究和发展 总被引:1,自引:0,他引:1
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料.虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要.本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景. 相似文献
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周国清 《湖南工业大学学报》2004,18(3)
退稿是编辑出版工作中的重要环节,既是一门科学,又是一门艺术,较为集中地反映出编辑主体和作者的关系,体现出编辑主体所持的作者现,一直为人所忽视.编辑退稿应树立理解作者、尊重作者、稳定作者的作者意识:理解作者的投稿心理,把握作者的个体差异,进行换位思考;消除等级观念,尊重作者的劳动;凭情感力量打动作者,以职业形象召唤作者,用信息添加赢得作者,从角色转换看待作者,退稿不退人. 相似文献
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本通过比较两个不同晶体生长历史的温梯法Al2O3晶体,通过同步辐射衍射形貌相研究了晶体内部的完整性,在正常晶体生长条件下Al2O3晶体的FWHM仅为10弧秒,而在正常晶体生长受到间停电破坏时,Al2O3晶体内易出现亚晶粒等缺陷。其内在原因与温梯法晶体生长工艺有关系。 相似文献
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介绍了基于信息技术、培养学生自主学习的土木工程专业英语课程教学应用信息化的探索,详细叙述了本教改的理论依据、基本内容、方法、实施步骤和创新点,从教学效果论证了教学改革的有效性,最后叙述了教改实践中的注意事项。 相似文献
20.
采用提拉法生长了掺Ce、掺Yb和掺Mn的铝酸钇(YAIO3,YAP)晶体,晶体均完整透明,无肉眼可见的气泡、散射和包裹物等宏观缺陷.通过化学腐蚀和同步辐射白光形貌实验检测了YAP晶体中的生长小面缺陷.结果表明:晶体生长过程中,由于凸向熔体的固-液界面,造成了小面生长现象.沿[101]方向生长的YAP晶体中出现的小面为(102),(201),(121)和(121)奇异面.X射线摇摆曲线表征的结果表明:生长小面的存在严重破坏了晶体的微观结构完整性和均匀性,并导致了小角度晶界缺陷的产生. 相似文献