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In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构 总被引:2,自引:0,他引:2
用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场. 相似文献
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分析国外以抗动能弹丸碰撞为主的多功能复合材料与结构,叙述了国外的发展简况、基本防护设想,介绍了空间站的抗动能方案或设想,以及抗动能武器的设想。对多功能复合材料与结构研究提出了几点值得重视的看法。 相似文献
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介绍了红外辐射探测仪以远程、非接触的方式,对预制有人工表面缺陷的不锈钢试板进行检测。通过对检测结果的分析,得出了红外辐射探测仪可检测材料表面缺陷的结论,而且由于表面缺陷空洞辐射效应的存在,可以求出缺陷的深度。 相似文献
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