全文获取类型
收费全文 | 4477篇 |
免费 | 96篇 |
国内免费 | 108篇 |
专业分类
电工技术 | 97篇 |
综合类 | 91篇 |
化学工业 | 424篇 |
金属工艺 | 168篇 |
机械仪表 | 206篇 |
建筑科学 | 276篇 |
矿业工程 | 111篇 |
能源动力 | 31篇 |
轻工业 | 382篇 |
水利工程 | 137篇 |
石油天然气 | 201篇 |
武器工业 | 31篇 |
无线电 | 356篇 |
一般工业技术 | 198篇 |
冶金工业 | 105篇 |
原子能技术 | 28篇 |
自动化技术 | 1839篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 9篇 |
2021年 | 18篇 |
2020年 | 16篇 |
2019年 | 12篇 |
2018年 | 21篇 |
2017年 | 17篇 |
2016年 | 18篇 |
2015年 | 18篇 |
2014年 | 115篇 |
2013年 | 49篇 |
2012年 | 105篇 |
2011年 | 151篇 |
2010年 | 231篇 |
2009年 | 224篇 |
2008年 | 253篇 |
2007年 | 272篇 |
2006年 | 212篇 |
2005年 | 228篇 |
2004年 | 232篇 |
2003年 | 146篇 |
2002年 | 115篇 |
2001年 | 1141篇 |
2000年 | 650篇 |
1999年 | 308篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 8篇 |
1996年 | 8篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 2篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 2篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 4篇 |
1983年 | 6篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 4篇 |
1977年 | 3篇 |
1976年 | 3篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 1篇 |
1962年 | 2篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有4681条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
Q510少了一份Q520所具有的女人味,多了一份调皮和可爱。虽未继续采用Q520的镜面设计,但Q510却有自己独特的“大眼睛”,在屏幕周围加上了一圈弧形设计,看上云的确像足了一只眼睛。和Q520相比,Q510体积更小,体重要轻,功能却并未 相似文献
62.
明令禁止驾驶员在车辆行驶时接打手机,违者罚款加扣分,多么严厉的规定啊!不过这也是为了广大驾驶员的生命安全着想,但是那些公务繁忙的人往往在驾车时也有电话打入.一个电话的错过也许就会带来很大的损失,怎样才能既安全驾驶又沟通无忧呢?其实很简单.你只需要拥有一款具有蓝牙功能的手机.并且利用如下几款车载蓝牙套件.来电话的时候.就可以彻底解放你的双手了!可别弄错了.我说的可不是让你再也不握方向盘了…… 相似文献
63.
64.
此次行程全面检验了途胜的产品性能。作为一款“城市SUV”,途胜的越野性能和舒适度在此次行程中得到了比较好的体现,也经历住了最严峻的考验。一路走来,海拔落差超过6000米,路面复杂,地形多样,气候更迭。进入青藏高原之后,由于长时间风化,沿山修建的公路饱受塌方、泥石流的困扰,碎石路面和泥泞路面交替出现,这对于车辆的动力系统、制动系统、悬挂机、变速箱等组件提出了严格要求。 相似文献
65.
66.
67.
68.
在《奇迹》里面,每种装备都有着各种追加的属性和功能。没有卓越装备的时候,武器可以附带的就是技能、追加属性和幸运这些。而卓越装备的武器带的技能和属性就比较多了。 相似文献
69.
在首信的产品线中、C6系列手机几乎占据了半壁江山,无论是产品的数量,还是质量,都称得上是首信的“看家本领”。最近,首信又推出了四款C6系列的新产品,它们分别是:C6088 ,C6088A 、C6288 和C6288A 。 相似文献
70.
Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献