矿井通风阻力及主要通风机技术测定中存在问题浅析

针对现场测定中存在的通风阻力路线不闭合的情况，提出了主要通风机测定及其性能曲线应用的改进意见。     

加强用电管理，降低生产成本

煤炭企业是用电大户，长期以来，由于受计划经济体制的影响，煤矿用电全由国家统一调拔。用多用少由企业，自控，尽管在生产经营中也提倡节能降耗。降低成本。但由于缺乏强有力的外部控制、约束力量，致使企业上下淡化了节电意识，疏于用电管理，这样。由于人为因素，导致煤炭企业用电成逐年递增之势。     

用层次分析法确定采矿方法数值决策的权系数

通过实例论述了采矿方法模糊决策中用层次分析法确定权系数的原理和方法。     

液氮温区同轴脉冲管制冷机的实验研究

脉冲管制冷机冷头朝上布置可以使制冷机与超导器件的耦合更方便 ,但对G -M型脉冲管制冷机 ,重力会对这种布置方式产生不利影响。对双向进气型脉冲管制冷机 ,直流和耦合传热会共同影响脉冲管制冷机的性能。介绍了液氮温区G -M型同轴脉冲管制冷机的实验结果 ,主要研究了蓄冷器温度分布和重力对脉冲管制冷机性能的影响     

iPanel交互电视亮相高交会带给用户“十尺体验”

在备受业界瞩目的第八届高交会上的一个展厅里。深圳茁壮网络公司的员工正在通过遥控器。让用户轻松地看电视、玩游戏、上网。体验丰富的数字化内容。这就是该公司iPanel交互电视带给用户的“十尺体验”。     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

扎兰屯市改进喷灌工程管理的经验

自1996年以来，扎兰屯市共发展喷灌面积2．67万hm^2，通过7年的运行管理，总结出一套切实可行的管理模式。