半导体工艺中使用的特种气体

日本的半导体工业，以优异的半导体生产技术和其创造能力，在世界上取得了惊人的发展。     

用膜分离技术对碳氢化合物蒸气的回收

日本钢管公司研制了采用功能性高分子膜从碳氢化合物与空气混合气中选择分离碳氢化合物的装置,并接受了第一套装置的订货。本装置可满足炼油厂和石化厂所产生的碳氢化合物蒸气的排放规定,并经济地回收碳氢化合物的蒸气。阐述了所使用的平膜气体分离膜和单元结构、各种试验内容、标准工艺流程、最佳化设计方法、实用的工艺流程,并与吸附法作了比较。     

三氟化氮——一种新型干蚀刻气

目前，三氟化氮正被研究作为一种半导体干气体蚀刻剂。这是因为它有很高的蚀刻速率和选择性。由于这种气体刚用于电子工业，故本文将对该化台物的物理和化学性质进行评论，并提供管理NF3的资料，以及检漏和排除泄漏的方法。     

测量易挥发金属氢化物的方法及其装置

专利说明 1.本专利所述的易挥发金属氢化物的测量方法，是将易挥发金属氢化物与一氧化汞反应。使一氧化汞转变成汞原子。然后测量汞原子的浓度，再根据所测汞原子的浓度来决定易挥发金属氢化物的浓度。     

用变压吸附法分离回收高纯一氧化碳

一、绪言近年来,作为化工原料气和钢铁厂转炉复合吹炼用气的CO气体,其需要量预计会不断增加。CO的原料来源有钢铁厂副产的转炉烟道气和石油加工的碳氢化合物裂解废气等多种多样。从这些原料气中经济地分离回收高纯CO的技术,最引人注目的是变压吸附法(PSA),且已进行了开发研究。现在,CO—PSA法已部分工业化。由于吸附剂对CO的选择吸附能力不佳,因此,在过程的前段主要配置了除去CO_2和水份的CO_2—PSA,然后在后段配置了分离精制CO的CO—PSA。这就是所谓的两段吸附法。