正交偏振激光科学研究进展与教学

本文介绍正交偏振激光器的研究进展(特别是最新进展)和引入教学的实践。第一部分是与正交偏振激光相关的现有激光课程涉及的基本内容，也是以下各部分的基础。第二部分，您能清楚地了解塞曼激光和四频环形激光器的原理，它们输出正交圆(或线)偏振激光。从第三部分开始，您将得到大量已有教科书和专著中还没有的(或提到但没能展开)     

垂直偏振态He-Ne激光自混合干涉的实验研究

从实验上研究了频率分裂激光器中偏振态相互垂直的o光和e光的自混合干涉现象,因为o光和e光之间的模竞争效应,所以在o光和e光的反馈曲线中,最大值和最小值相互对应,在一个周期中,最大值出现的次数是一般反馈曲线的2倍,幅值的变化也是一般反馈曲线的2倍。     

1553B总线控制器双机热备份设计

1553B总线作为一种高可靠的总线技术,广泛应用运用于军事领域。由于1553B总线双冗余备份的只是总线传输通道,而总线上的控制器没有热备份,一旦总线控制器出现故障,则整个总线将瘫痪。主要论述一种利用软件实现总线控制器的双机热备份设计思想和方法,此方法易于实现,效率很高,并有效地防止了工作BC和备用BC的误切换,实践验证,这种设计切实可行,有一定的通用性。     

利用移动内点来修复传感器网络空洞的算法

针对目标区域中存在感知空洞问题,提出了一种空洞修复准则。在此基础上,设计了基于移动节点无需地理信息的修复算法SOI,该算法通过计算空洞边缘可移动的最佳内点,使该边缘节点到达新的位置,实现减少目标区域中空洞面积的目的。分析与仿真实验表明,与VHR算法相比,SOI算法在部署密集的传感网络中需要移动的总距离更少。     

高质量立方相InGaN的生长

利用 LP- MOCVD技术在 Ga As( 0 0 1 )衬底上生长了高质量的立方相 In Ga N外延层 .研究了生长速率对 In Ga N质量的影响 ,提出一个简单模型解释了在改变 TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律 ,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合 ,由此推断 ,在现在的生长条件下 ,表面单个 Ga原子作为临界晶核吸附 Ga或 In原子实现生长的模型与实际情况较为接近 .对于晶体质量的变化也给予了说明 .得到的高质量立方相 In Ga N室温下有很强的发光峰 ,光致发光峰半高宽为 1 2 8me V左右 .     

关于合建北京顺义区有线电视网的探讨

１电信局与电视台合作的由来顺义电信局本着优势互补、资源共享和不重复建设的原则,提议与电视台共同建设顺义地区有线电视网,得到了顺义区政府、北京市电信管理局、北京广播电视局、北京市郊区电信局等各方面领导的支持。在顺义区政府相关领导的协调下,于１９９６年４月,双方就合作方案达成如下共识：（１）电视台利用电信局现有管道、杆路、光缆等设施传送有线电视信号,发展有线电视事业。（２）电视台负责有线电视信号的来源、分配及各小区、各乡镇用户接入网的建设及发展。（３）电信局负责电视台机房外至各用户网光节点机前的传输…     

基于3G通信的软件无线电应用研究

软件无线电是第3代移动通信新技术的一个重要研究方向,它把硬件作为无线通信基本平台,主要依靠软件来完成接收系统的各项功能。为3G通信体制提供了一个开放的、模块化的系统结构。同时介绍了DSP技术和应用方案。     

1.25Gb/s CMOS高灵敏度宽动态范围跨阻放大器

采用0.35μm CMOS工艺设计并实现了一种新的应用于1.25Gb/s光纤通信接收机的高灵敏度、宽动态范围跨阻放大器电路。引入电流注入技术提高输入管跨导、优化噪声性能、提高灵敏度。自带直流反馈实现直流消除功能,同时采用自动增益控制机制,提高动态范围。仿真结果表明,该电路具有82.02dBΩ的跨阻增益、872.7MHz的带宽、23.74kHz的低频截止频率,输入等效噪声电流为4.08pA/Hz(1/2),最大输入光信号为+3dBm(2mA),在3.3V的电源电压下,芯片功耗为43.4mW。     

大型活动5G无线通信保障方案分析

<正>5G网络可支持大带宽、低时延高可靠、海量机器类通信等典型业务,在5G发展初期预计视频类业务的流量所占比重较高。随着视频高清化、短视频业务主流化及直播全民化,4G网络的室内覆盖能力已无法满足100Mbit/s以上的上行速率、20ms以内时延的室内业务要求。而在大型赛事活动现场,用户密度极高,且5G视频业务需求相比其他场景更高,因此对无线网络规划、设计与优化工作的要求也相应提高,运营商需要重点保障网络高质量及高性能,确保业务承载能力,从而满足用户业务需求。     

Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响

研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.