太阳能封装胶膜EVA变色分析

晶体硅光伏组件在制造、测试及使用过程中,封装材料EVA经常发生变色,影响了组件外观及功率.本文通过各种化学分析,分别研究了EVA的几种变色模式,分析了其变色失效机理,提出了避免EVA变色的方法.     

基于光电子显微镜的X射线近吸收边结构研究

利用基于第三代同步辐射光源的光电子显微镜图像[1,2 ] (图 1) ,我们测量了银的L3 全电子产生几率模式的X射线近吸收边结构谱 ,同Burattini等的透射实验结果比较[3 ,4] ,二者十分吻合 ,说明反射、透射模式的X射线近吸收边结构谱均能很好地描述材料的非占有电子态结构。进一步利用描述电子在固体内的散射过程及级联产生的二次电子过程的蒙特卡罗模型[5] 计算了银的L3 吸收边上、下的X光子激发的光电子、俄歇电子及其级联产生的二次电子对全部出射电子的贡献。全电子产生几率同实验结果接近 ,同时在吸收边两侧全电子产生几率的比值也同实验…     

晶种辅助化学水浴合成Al掺杂ZnO纳米棒阵列

采用直流磁控溅射法在玻璃基底上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为晶种层,在硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)与六亚甲基四胺(C6H12N4)等摩尔浓度反应溶液中添加不同摩尔分数的硝酸铝(Al(NO3)3.9H2O),用化学水浴法合成Al掺杂ZnO(ZAO)纳米棒阵列。X射线衍射结果表明,少量的Al掺杂并不影响ZnO晶体结构,ZAO具有六方纤锌矿型结构。利用扫描电子显微镜、荧光分光光度计、四探针测试仪研究了溶液中Zn源的初始浓度和Al的掺杂量对ZAO纳米形貌、结构和光电性能的影响。结果表明,Al掺杂提高了ZAO薄膜的导电性,当前驱体溶液中Zn源的初始浓度为0.03 mol/L时,制备的掺2%Al的ZAO薄膜沿c轴生长且结晶性好,具有电阻率小和最好的光致发光性能。     

Lorentz-Lorenz公式的简单推导

在光学理论中占有重要的地位。其中a是各向同性介质的分子平均极化率;N是介质单位体积中的分子数;n是介质的折射率。 Lorentz和Lorenz在严格推导他们的公式过     

宽调谐室温Co:MgF2激光器

用双折射滤光片不同干涉级次和多组谐振腔镜连续调谐室温Co:MgF2激光器,波长调谐范围达到1700～2550nm,在2090 nm峰值波长的输出能量及效率分别为115 mJ和16%.     

CO:MgF_2晶体的光偏振吸收特性

以 １３２０ ｎｍ波长 ＹＡＧ激光为光源,测定 Ｃｏ：ＭｇＦ２晶体几种吸收态的激光能量透过率及其吸收系数．高吸收态处于π偏振和光轴方向,吸收系数分别为 １３５ ｃｍ－１和 １．２０ｃｍ－１．     

中性硝基分子几何形状与晶体特性的关联性

含能晶体堆积结构是影响其感度的重要因素之一,通过晶体中分子层间滑移来缓冲外界刺激是降低含能材料感度的重要机制。为了更好地设计低感高能分子, 理解分子的几何形状与其晶体特性的内在关系十分重要。研究以剑桥晶体数据库中的CHNO类中性硝基分子为样本,采用假设检验方法（包括Z检验、t检验和χ²检验）研究了分子的几何形状与其晶体密度、堆积系数及可滑移性之间的关联性。结果表明,在球形、平面和线形分子中,球形分子有最高的晶体密度和堆积系数,但晶体可滑移性较弱;平面度高的平面形分子通过高堆积系数可获得与球形分子相当的晶体密度,同时平面形分子的晶体可滑移性较强,其χ²检验的置信度接近1;线形分子则不如前两者。虽然存在某些高晶体密度和堆积系数的含能晶体不具有可滑移的层状堆积结构,但整体而言,可滑移晶体的晶体密度和堆积系数均比不可滑移晶体大,其Z检验与t检验的置信度均大于0.95,表明通过设计易于发生分子层间滑移的晶体结构来降低其感度与提升晶体密度并不矛盾。平面形分子晶体密度一般较高,与晶体可滑移性强相关,是设计低感高能分子的首选。