生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响

在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250、300、350、400和450 ℃下生长了高度C轴取向的ZnO薄膜,并对样品进行了X射线衍射、光致发光谱及反射式高能电子衍射的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.这说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.     

底栅和顶栅结构全透明氧化锌薄膜晶体管的制备

报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率.     

SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管

在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高的结晶质量和高度的c轴择优取向性,(0002)面摇摆曲线的半峰宽仅为1.89.在此基础上制备了以氮掺杂ZnO薄膜为沟道层、以SiO2为绝缘层的底栅式薄膜晶体管.电学测试表明该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为5.15V,电流开关比为104,电子的场迁移率达到2.66cm2/(V·s).     

调频失真对贝塞尔函数零值法测频偏影响误差的计算

用贝塞尔函数零值法测量频偏时,调频失真将给频偏测量带来误差,对第1—8个零值,已有与实验验证基本相符的计算结果。资料[1]指出:“在任何情况下,调制指数24被认为是本方法的实用范围”(即第8个根值是本方法实用范围),但到目前为止,尚未见到调频失真对第8个零值以上各点所测频偏带来的影响同实验验证基本相符的计算结果。本文介绍一种与实验验证结果基本相符的计算方     

关于Q开关激光器输出的稳定

振荡器在增益达到予定标准时,对其调Q,可以大大提高输出能量的稳定度。本文还详细叙述了一种广泛应用的控制电路,可以将Nd:YAG振荡器的输出稳定度提高三倍。     

扁桃斑鸠菊甲醇提取物对高粱糖化及酿造特性的影响

扁桃斑鸠菊甲醇提取物对高粱糖化及酿造特性的影响前言在啤酒生产中，大麦是所使用的主要原材料，在尼日利亚，发芽及未发芽的高粱也被用于啤酒生产中。在尼日利亚的北方及部份南方地区高粱种植很广泛，是最适宜种植的用于生产啤酒的谷物。然而，高粱的主要问题之一就是微...     

比利时式石灰窑改造的尝试

本文详细叙述了和平糖厂比利时式石灰窑改造的设计施工。着重介绍了窑体、耐火砖改形、耐火砖材质取舍、砌筑泥浆配制、钢壳体的改制和窑体砌筑质量检测方法。     

退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT).研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大.用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关.     

经355 nm激光预处理后熔石英的损伤增长

为研究经预处理的熔石英损伤点随激光脉冲的增长关系,采用355 nm脉冲激光辐照预处理熔石英,再辐照位于后表面的损伤点,然后用Mias软件采集损伤增长的图像并测量每次脉冲后损伤点的面积。通过与未经预处理熔石英的损伤增长相比较可得出,经预处理与未经预处理的熔石英损伤点面积均随激光辐照脉冲数呈指数增长,但前者的损伤增长速度比后者的快。355 nm激光预处理能够有效提高熔石英元件的抗损伤阈值,但损伤一旦发生将会更加快速地扩展。     

用贝塞尔函数零值法与定K''''_f值法校准抖动测量仪

抖动测量仪是对录音机、电唱机、电影机、录像机等设备进行抖动测量的专用仪表。为确保收、录、放机的质量,抖动校准是一个重要的技术指标。通过对 DD3型抖动测量仪与 BE3型频偏测量仪的比较可看出,DD3只比 BE3少一级射频变频器部分,故它又是一个无变频级输入的低载频频偏测量仪。其抖动值 D 是频偏△f 值与一个预约定值3150Hz