以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究

采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.     

底栅和顶栅结构全透明氧化锌薄膜晶体管的制备

报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率.     

和平糖厂对滚筒式双斗连续除石器的改进

我厂甜菜预处理采用单机滚筒式双斗连续除石器,直径为1930mm,长2300mm,转数为2.64r/min。近年由于甜菜收购点分散,多次倒运,机械化装车,进厂的甜菜含大量砂石,给制糖生产造成了很大的困难。我厂除石器能力小,砂石不能全部消除,而洗涤     

非晶IGZO透明导电薄膜的L-MBE制备

报道了一种利用等离子辅助激光分子束外延技术(L-MBE)在石英衬底上制备IGZO透明导电薄膜的新工艺.该工艺在超高真空中进行,可以有效避免杂质和污染,提高薄膜的纯度和光学、电学性能.通过优化生长时的气体离化功率,在300W射频功率下,得到光学电学性能优良的非晶态IGZO透明导电薄膜,其可见光范围内透过率超过80%,其室温电子迁移率高达16.14cm2v-1s-1,明显优于目前薄膜晶体管(TFT)中常用的非晶硅和有机物材料.测试结果表明,采用此工艺制备的非晶态IGZO透明导电薄膜,具有优良的光学、电学特性,能代替非晶硅和有机物,提高TFT-LCD的性能,实现真正的全透明、高亮度及柔性显示.     

供给侧改革理念下的数字资源建设实践

为了优化现有中等职业学校的数字化教学资源建设与应用机制,探索教学资源建设与管理新路径是有必要的。本文在供给侧改革经济学原理下,以需求为导向,对数字资源建设与应用进行改革。以东莞理工学校为例,依托东莞地区线上教育,通过优化激励机制和应用大数据等新技术推进数字教学资源建设与实践人优化应用。实践结果表明,新的方案能有效地解决当前数字资源建设与应用存在的问题。     

生本教育理论在计算机教学中的探索与实践

主要概括计算机教学过程中如何体现生本教育的教学精神、教学手段及教学效果。     

光折变LiNbO_3晶体中的有效载流子密度

基于双光束耦合的原理及实验结果，计算了纯ＬｉＮｂＯ３和Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体中的有效载流子密度，对结果进行了讨论，指出光折变ＬｉＮｂＯ３中氧空位色心也是载流子施主之一，且被激发的Ｆｅ２＋仅占晶体中Ｆｅ２＋浓度的一小部分。     

关于做好老干部思想政治工作的几点体会

近年,石家庄市水利局在邓小平理论和“三个代表”重要思想指导下,把做好离退休人员的思想政治工作列入重要议事日程,采取多种形式,收到良好效果。     

阵列式日盲紫外成像CMOS读出集成电路及凸点连接的制作

可以广泛应用于军事和工农业生产上的CMOS紫外焦平面阵列(UVFPA)是近年来比较热门的研究课题.它可以比较容易地实现日盲式紫外探测和可见光盲式紫外探测.但在CMOS UVFPA的研制中,读出集成电路(ROIC)成了制约其发展的很重要的一环.ROIC芯片是实现探测器的信号输出的重要部件.混成式CMOS UVFPA要借助于先进的微电子封装工艺将ROIC与探测器阵列集成在一起.其中则需要制备用于高密度、高精确度互连的阵列凸点.我们通过蒸发结合光刻法和电镀法分别制备了线度为30μm×30μm的16×16凸点阵列.并对两种制备方法做了比较,在分析了制作的凸点的质量后,认为经过改进的蒸发结合光刻法可以制作高质量的阵列凸点.