LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备

采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.     

变结构反应离子刻蚀腔室流场热场的数值仿真

为了提高刻蚀的均匀性, 对400mm反应离子刻蚀(RIE)腔室建立了气体流动的连续流体模型和热传递模型, 研究了反应腔室内压强、流速和温度分布。冷却板恒温285K时, 依次改变入口流量和出口压强, 分别分析了腔室内部基片晶圆附近的流速、压强、温度的分布; 依次改变极板间距离(30mm~60mm)、进气口直径(300mm~620mm)、抽气口直径(50mm~250mm), 分析了反应腔室内气流和温度分布。结果表明, 压强分布呈现出边缘低中心高的特征, 流速呈现边缘高且中心低的特征, 且在小流量时压强的均匀性较好; 压强分布的均匀性随腔室极板间距离增加而有所提高, 且随腔室气体出口面积减小与进口面积增加也有所提高; 基片晶圆上方附近处温度场大面均匀、稳定, 几乎不受入口流量波动变化的影响, 热稳定性良好。该研究对大口径RIE腔室结构设计改进及对大口径反应离子刻蚀工艺控制具有重要意义。     

用互调法测量解调失真

用频偏仪测量调频波的频偏时,在输入纯正弦信号调制的调频波后,由于仪器本身存在非线性,通过混频器、鉴频器、低频放大器后会引起所谓解调失真,它是频偏仪性能的一项指标。本文介绍用于测量频偏仪解调失真的互调法,该法利用双音频调频,然后进行解调,并测量因通过频偏仪后所产生的互调成分,用以表征它的失真。     

半绝缘GaAs：Cr晶体1.06μm三波混合研究

从理论和实验上研究了半绝缘掺铬砷化镓（ＧａＡｓ：Ｃｒ）晶体在１．０６μｍ波长处的两种简并三波混合的增益特性。利用位移光栅及外加电场等技术，实现了双信号独立的纯放大，利用双泵浦提高了单一信号的放大倍数。     

计算机控制的激光目标指示/照射器

美国一种为新一代寻的武器配套安装在飞机上的光学稳定瞄准/火控系统。此系统包括:1.瞄准系统;2.计算机;3.寻航装置。它有多种操作方式:可以根据给定坐标确定目标位置,截捕目标,照射目标以及机动时跟踪目标。此系统带有近红外激光照射/测距仪,光学瞄准器带有对比跟踪器,在可见光及近红外区均有视见能力。可作常规武器和激光制导武器的火控部分使用。二、部件的工作原理和系统的基本操作方式系统各部件的示意图见图1。系统基本操作方式如下。     

校园无线网络安全技术分析

该文简述学校无线网络存在的安全隐患,列举了保护无线网络安全多种策略和相关技术,并对这些技术进行分析和总结,提出了一个综合性的校园无线网络安全方案。     

L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管

采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO-TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).     

L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管

采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiNx/Si(111)衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管(ZnO-TFT),该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm2/(V·s).     

基于单片机的太阳能热水器智能控制系统

针对目前家用太阳能热水器功能单一、操作复杂、控制不方便等特点,本文提出了一种新型的太阳能热水器控制系统设计方案.根据太阳能热水器对控制系统的要求,以MCS-51单片机为中心控制单元,采用DS12C887实时时钟,设计了一种太阳能热水器智能控制系统,给出了系统硬件设计及软件实现方法.该系统具有时间、温度、水位设定与控制功能,且具有良好的抗干扰性能.     

浅谈大中型企业CATV网络改造

1 引言 一般大中型企业建台初期都采用全频道系统和300MHz邻频系统,经过多年的运行,系统中各类设备及器件技术性能都已变差,电缆也已老化,图像质量逐步下降。另外新住宅及终端用户不断增加,干线分配不断延长,超出了系统原设计能力,再有上