LDO降压转换器的稳定性分析

通过对LDO降压转换器的原理分析，并借助频域的傅里叶分析方法，对其稳定性和频率响应进行了深入的理论研究，得到了提高系统稳定性的补偿方法。频率响应和瞬态响应的仿真结果表明，这种方法显著改善了LDO降压转换器的频率响应，并极大地提高了其稳定性。     

一种1.8 ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源

介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8 ppm/℃。     

基于仿真平台的“电力电子技术”教学模式探讨

本文针对“电力电子技术”课程教学过程中遇到的电路种类较多、学生难以理解等问题,提出一种基于仿真平台的“电力电子技术”教学模式。文中具体描述了仿真平台的架构,并以单相全控整流电路为例,详细介绍了如何利用仿真软件PSIM开展课程教学。实践结果表明,学生通过仿真平台可以更全面直观深入地理解“电力电子技术”课程学习内容,该仿真平台为课程的教与学提供了一种新的思路和模式。     

超临界干燥多孔硅的光致发光

对两种不同条件下制备的多孔硅进行了红外透射光谱测量，并对超临界干燥和自然干燥条件下的光致发光光谱进行了对比测量。用高分辨率透射电镜对其结构进行了观察，研究表明多孔硅的发光机理与其制备条件有关。     

太赫兹时间分辨系统研究有机卤化物钙钛矿薄膜的超快太赫兹调制

研究了利用太赫兹时间分辨系统研究有机卤化物钙钛矿薄膜(CH_3NH_3PbI_3 and CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x)的皮秒尺度的超快太赫兹调制特性.在光激发作用下出现了太赫兹透射波的瞬时下降.相比于CH_3NH_3PbI_3薄膜,在光激发作用下CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜展现了更高的调制深度(10%).通过测算材料的电导率及载流子浓度,其调制机理为瞬态光激发载流子浓度上升.实验结果表明,CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x薄膜可作为一种高效超快太赫兹调制器件.     

机抖激光陀螺仪过锁区误差分析

文中在理论上分析了抖动偏频激光陀螺仪标度因数误差与闭锁阈值、抖动偏频量的关系,并用Matlab对其关系进行了仿真计算,验证了激光陀螺仪输入角速率在抖动偏频量附近由抖动偏频造成的标度因数非线性最为严重、速率测量误差最大的结论.     

一种改进的考虑划痕的关键面积计算模型和方法

关键面积计算对于集成电路成品率的准确预测有着重要的意义。为了得到精确的结果,关键面积计算需要根据缺陷形状的不同选择适当的缺陷模型。针对化学机械研磨引入的划痕,提出了一种线性缺陷模型来计算其关键面积。在此基础上进一步考虑了线端效应的影响,对考虑划痕的关键面积计算模型提出了改进。实验结果表明改进后模型的计算结果更为准确。     

具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析

针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.     

一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT

本文基于4μm漂移区厚度提出一种具有衬底浮空n型电荷区的新型LIGBT（NR-LIGBT）。由于n型电荷区的电场调制作用,器件的纵向击穿特性得到加强,击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场,因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明：在相同的100μm漂移区长度下,新结构的击穿电压比常规结构（C-LIGBT）提高了58％。并且,在相同的阻断能力下,新结构的关断时间短于常规器件。     

一种DC-DC开关电源的简单高效软启动电路

提出了一种简单而高效的新型软启动电路,实现了输出电压平稳、快速的上升.该电路有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中出现的浪涌电流,同时避免了传统软启动电路在软启动结束时出现的输出电压过冲.电路完全集成在芯片内部,避免使用额外电容而占用过多面积和增加功耗.经过对电路的Hspice仿真以及芯片样品的测试,在输入电压为3.3V的升压型开关电源芯片中,输出电压在500 μs内分两步平稳上升,避免了浪涌电流和过冲电压,符合设计指标.