钚及其裂变产物钯 、银 、镉 、锡 、锑 、锆的系统分离方法

描述了钚及其6种裂变产物钯、银、镉、锡、锑、锆的系统分离方法：在强碱性阴离子交换树脂柱上将盐酸介质的辐照靶溶解液中的这些元素分为5组,然后再针对各组目标元素进行分离和纯化,可简便快速地从同一份靶溶解液中分离以上7种元素。采用辐照铀靶对分离方法进行了验证,结果表明,分离流程对6种裂变产物的化学回收率均大于70%,对γ谱仪测量干扰的主要核素去污因子均大于1.0×10³,可满足²³⁹Pu裂变谷区核素裂变产额测量对化学分离的要求。     

^90Y在不同材料上的吸附性能研究

在有关^90Sr-^90Y的实验中，常常发现^90Y有丢失，这种丢失很可能是由于吸附引起的。因此，研究^90Y在常用材料上的吸附行为并提出避免措施是很必要的。     

一种快速放化分离~(72)Ga的方法

以Fe(OH)3沉淀和异丙醚萃取为主要分离方法,建立了一种简单、有效的快速放化分离微量72 Ga的流程。流程对Ga的化学回收率大于90%,对裂变产物元素的去污因子均大于103,对土壤基体的去污因子为4.1×103,分离时间小于50min,可以满足快速放化分离72 Ga的需求。     

大孔硅基材料CyMe4-BTBP/SiO2-P的制备及其对Am（Ⅲ）、Eu（Ⅲ）的分离性能研究

双三嗪-吡啶萃取剂（CyMe₄-BTBP）对三价锕系元素具有很好的选择性,在核燃料循环中的三价镧系和锕系分离流程中有良好的应用前景。以2,2-双吡啶及脂类衍生物为原料,通过优化反应条件制备了高纯度CyMe₄-BTBP,HPLC纯度达99.5%。利用真空灌注技术,将制备的CyMe₄-BTBP负载到大孔硅基复合材料SiO₂-P上得到大孔硅基吸附材料,并用BET、SEM和FT-IR等对材料的微观结构进行了表征,揭示了萃取剂与载体的作用机理。研究了萃取剂负载量、酸度、吸附平衡时间等因素对CyMe₄-BTBP/SiO₂-P分离特性的影响。结果表明：CyMe₄-BTBP/SiO₂-P对Am（Ⅲ）和Eu（Ⅲ）具有良好的分离效果;Am（Ⅲ）和Eu（Ⅲ）在CyMe₄-BTBP/SiO₂-P上的吸附行为在动力学及热力学方面均具有很大的差异;在0.1～4 mol/L HNO₃溶液中,萃取剂负载量小于9.1%时CyMe₄-BTBP/SiO₂-P对示踪量Am（Ⅲ）和Eu（Ⅲ）的分离因子（SF）均在100以上。     

脉冲电镀与直流电镀制源技术研究进展

近年来，为了研究重元素的化学行为，锕系靶被用来合成多种重元素的富中子同位素。自上世纪70年代以来，制备此类用于裂变截面测量或加速器轰击的锕系元素靶，大多采用分子镀技术。传统的分子镀技术均使用直流电源。为克服传统直流电沉积方法的不利因素，制备厚度与牢固度更高的锕系元素靶，我们对脉冲电沉积制靶技术进行了研究。     

基于常温吸附的放射性氙样品高效纯化制备技术研究

大气放射性氙是全面禁止核试验条约重要的监测目标,为提高氙样品的探测灵敏度,在进行放射性活度测量前,需将样品纯化、除氡并转移至测量容器。本文针对氙样品高效纯化制备过程中的关键技术,研究了氙在三级吸附柱上的吸附脱附行为,并考察了氙样品量及色谱参数对氙色谱峰宽的影响,确定了纯化制备流程参数。利用氙样品对纯化制备流程进行测试,氙的回收率大于90%,氡去污因子大于10⁴,实现了放射性氙样品的高效纯化制备。     

大面积流气式电离室的研制及性能测试

核设施退役过程中,超铀核素放射性样品的无损测量一般通过γ能谱法实现,但由于超铀核素的γ射线发射几率一般较低,因此这种测量方法的探测限较高,不适用于溶解后低水平放射性样品的测量。本工作建立的大面积流气式电离室,通过探测α粒子电离空气的原理进行多孔样品的间接无损测量,方法探测限低,可以分析放射性活度低至百Bq级别的样品板。     

ICPMS法测量~(126)Sn半衰期

应用电感耦合等离子体质谱法（ＩＣＰ－ＭＳ）测量了长寿命裂片产物核素＾１２６Ｓｎ的半衰期。用乙醚从高放废液０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ－１．０ｍｏｌ／Ｌ ＮＨ４ＳＣＮ介质中无载体分离＾１２６Ｓｎ后,对样品进行处理,准确分样,一份样品直接用ＩＣＰ－ＭＳ仪测定＾１２６Ｓｎ的浓度,推算出分样前溶液中＾１２６Ｓｎ的原子数;另一份样品加一定量的Ｓｎ载体进一步纯化制源,用ＨＰＧｅγ谱仪测量＾１２６Ｓｎ活度,推算推算     

热电离质谱直接测定铀氧化物中氧同位素

本文研究了热电离质谱（TIMS)直接测量粉末状铀氧化物中氧同位素的方法,涉及主要测量条件包括环境中氧、样品带材料、样品颗粒大小和测量方式等对测量结果的影响。对仪器的相关测量参数进行了优化,并建立了TIMS直接测量粉末状铀氧化物中¹⁸O、¹⁶O原子个数比的方法。对TIMS法与经典测量氧同位素的氧化法的测量结果进行了比较,两者的相对偏差为0.2%。TIMS法的¹⁸O、¹⁶O原子个数比测量精度优于0.28%。     

14 ^132I半衰期测量

^132I的半衰期是核衰变数据中的重要参数之一。早在20世纪50～60年代，^132I的半衰期已发表过几家测量数据，测量所用的仪器为电离室和闪烁探测器。这些仪器只能探测总β或γ，放射性计数，不能分辨测量源中可能存在的放射性杂质。之后，至今也未见有新的数据发表。为此，本工作应用高分辨率HPGe探测器重新测量^132I的半衰期。