锗对CZSi中氧沉淀成核和沉淀形态的影响

CZSi中掺入等价元素锗 ,能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在70 0℃退火时 ,抑制杆状氧沉淀的生成 ,在 90 0℃退火时 ,锗对氧沉淀的形态和长大几乎没有影响。实验表明 ,锗并不作为氧沉淀的成核中心 ,氧沉淀及其衍生的二次缺陷中也不包含锗。文中对锗影响氧沉淀的成核与形态进行了简要的讨论。     

掺锗直拉硅体单晶的生长

为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉速一般控制在 0 .2～ 0 .5 mm/分。当磁场强度较高时 ,熔体中由于重力场引起的热对流和质量对流在一定程度上被抑制 ,类似于空间微重力环境生长晶体的条件 ,晶体中锗和氧杂质分布均匀性的问题得到了较好地控制。文中利用扫描电子显微镜 ( SEM)能谱分析和二次离子质谱 ( SIMS)等方法观测了PMCZ法生长的掺锗 Si单晶中锗的分布状况。发现用 PMCZ法生长的锗硅晶体比常规 CZ法生长的晶体杂质均匀性要好些。同时发现 ,由于晶体生长速率很低 ,使得掺锗硅中产生了大量的过饱和氧的微沉淀。这些微沉淀经过 1 2 5 0°C热处理后会溶解消失。在晶体尾部 ,由于锗在硅中的分凝系数小于 1 ,使得锗在熔体中高度富集 ,产生了“组份过冷现象”,出现了枝状结晶生长。     

NTDCZSi中氧的沉淀与吸除

在适当温度退火时，中子嬗变掺杂的ＣＺＳｉ中产生的大量亚稳态辐照缺陷在奶火过程中会增强氧的外扩散在沉淀。根据ＣＺＳｉ中热施主与电阻率的关系，利用扩展电阻（ＳＲ－１００Ｃ）法测量了硅片退火后氧的纵向分布形式，发现辐照缺陷的存在影响了硅中氧的扩散与沉淀行为。     

NTDCZSi中与氧有关的PL谱

中子嬗变掺杂直拉硅单晶在１０５０－１１００℃６ｈ退火时，体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷。光致发光在０．７６－１．０００ｅＶ范围出现了ＰＬ峰，而非中照的ＣＺＳｉ在相同条件下退火却滑以检测出明显的ＰＬ峰。     

坦克负重轮胎铸压工艺研究成功

坦克负重轮胎是适用于各型坦克履带式牵引车和输送车的负重轮胎,它是这些坦克、车辆不可缺少的部件。我国坦克负重轮胎的生产工艺是50年代由苏联引进的,采用的方法是压延缠绕法成型,放在开放式模型中,在硫化罐内加压硫化制成的。这一工艺程序繁杂,有33道工序,劳动强度大,并且有三废治理问题,工人易生矽肺病,由该工艺生产出的产品,长期存在甩圈脱     

电子材料展望

进入80年代以来,以半导体集成电路为核心的电子技术的发展更加迅速,不断地推动着电子工业前进。同时,这项技术也扩散到其它行业中,正逐渐变为现代工业结构中的一部分。电子技术与光学技术、机械技术相结合又创造出了所谓光电子学以及微电子学等新领域。估计不久的将来,电子技术与生命科学相结合,将以仿生电子学这一新技术领域而出现。象这种把现代电子技术作为轴心的一种工业革命,或叫“电子学革命”,     

高功率化学激光器

自从1964年Kasper和Pimenteim用紫外光分解CF3I和CH3I生成碘原子I(2p1/2)得到1.315 μm激光振荡以来，经过了二十年。化学激光器在高功率激光器中的地位仍然是不可动摇的。七十年代后期，又出现了化学激发的O2-I激光器（电子能量转移型)，它作为一种高功率化学激光器引起人们注意，对它的研究日趋活跃。本文仅以1981年以后(包括笔者在这方面的研究）的研究作一介绍。