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91.
基于溅射理论和分子热力学理论建立了SmCo基多元合金薄膜的成分调控模型,讨论了溅射参数对薄膜成分的影响规律。随后以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上制备了SmCo基多元合金薄膜,测试了不同溅射工艺制备薄膜的成分。结果表明:通过模型计算得到的薄膜成分对溅射参数的依赖关系与实验结果吻合,验证了模型的有效性。  相似文献   
92.
概述了环糊精的结构特点及其发展,介绍了β-环糊精包合物和桥联β-环糊精的制备方法。简述了国内外近年来β-环糊精及其衍生物在环保、分析化学、高分子及药剂学等领域的研究进展。总结了β-环糊精及其衍生物在科学研究过程中存在的问题,同时对β-环糊精及其衍生物在未来的发展作了展望。  相似文献   
93.
以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于溅射工艺条件对薄膜Sm含量的影响。高的溅射压强和溅射功率都会引起薄膜晶粒的粗大化和薄膜表面的粗糙化。薄膜的晶体结构和微观结构随溅射参数的变化决定了薄膜的面内磁学行为。当溅射压强为0.3 Pa和溅射功率为5.1 W/cm2时,制备的退火态SmCo基薄膜为TbCu7单相晶体结构,其面内永磁性能良好。  相似文献   
94.
本文对施工升降机振动与噪音产生的原因进行了分析,并提出相应的解决方案。  相似文献   
95.
设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37 GHz频带内,增益达到22 dB,增益平坦为±1 dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0 dB,输出1 dB增益压缩点(P_(1dB))大于5 dBm,可以承受15 W的脉冲输入功率。  相似文献   
96.
97.
杨晓凤  彭龙贵  林雅 《硅酸盐通报》2015,34(9):2448-2451
采用插层聚合法制备剥离型聚苯胺/蒙脱石介孔材料,着重研究了过硫酸铵的加入量、pH值和反应时间对吸附材料结构与性能的影响,利用XRD、FT-IR和BET比表面积测试法等手段对吸附材料的结构特性进行了表征.结果表明:过硫酸铵剂的加入量为4 g、pH值为3.0、聚合反应时间为1.5h时,制备出孔径为35.66 nm、比表面积为22.51 m2/g的剥离型聚苯胺/蒙脱石介孔材料.  相似文献   
98.
针对Ⅲ级粉煤灰在水化反应中活性难于激发的问题, 选择乙二醇作粉煤灰助磨剂, 并利用XRD、SEM及力学测试仪器对助磨后的粉煤灰水化产物进行了分析和研究。结果表明, 乙二醇作为助磨剂对等外粉煤灰有很好的助磨效果, 其28d标准抗压强度达30MPa以上; 助磨剂能有效改善粉煤灰玻璃态颗粒的表面特性, 使粉煤灰的潜在火山灰活性被激发, 生成了网状致密的2CaO·SiO2·H2O和3CaO·2SiO2·3H2O等水化凝胶产物。  相似文献   
99.
报道了X波段 0 .5 μmGaAsPHEMT全单片低噪声放大器芯片。该放大器芯片由四级级联放大电路构成。芯片面积为 2 .43× 1.85mm2 。该放大器芯片在通带内测试结果为 :在工作条件VD=5V(ID≤ 10 0mA)下 ,增益 >2 6dB ,噪声系数≤ 2 .2dB ,输入、输出电压驻波比 <1.6∶1,平坦度≤± 1dB ,1dB压缩功率≥ 15dB·m ,相位一致性≤± 3°,幅度一致性≤± 0 .5dB。芯片尺寸为 2 .43mm× 1.85mm。  相似文献   
100.
我国软磁铁氧体产业发展与未来   总被引:4,自引:0,他引:4  
软磁铁氧体材料已经被广泛应用于民用和工业领域。随着21世纪信息技术和电子产品数字化的发展,对软磁铁氧体和元件提出了新的要求。如器件的小型化、片式化、高频化、高性能、低损耗等。软磁铁氧体材料将进一步向高频、高磁导率和低损耗的两高一低方向发展。  相似文献   
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