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基于溅射理论和分子热力学理论建立了SmCo基多元合金薄膜的成分调控模型,讨论了溅射参数对薄膜成分的影响规律。随后以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上制备了SmCo基多元合金薄膜,测试了不同溅射工艺制备薄膜的成分。结果表明:通过模型计算得到的薄膜成分对溅射参数的依赖关系与实验结果吻合,验证了模型的有效性。 相似文献
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以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于溅射工艺条件对薄膜Sm含量的影响。高的溅射压强和溅射功率都会引起薄膜晶粒的粗大化和薄膜表面的粗糙化。薄膜的晶体结构和微观结构随溅射参数的变化决定了薄膜的面内磁学行为。当溅射压强为0.3 Pa和溅射功率为5.1 W/cm2时,制备的退火态SmCo基薄膜为TbCu7单相晶体结构,其面内永磁性能良好。 相似文献
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设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33~37 GHz频带内,增益达到22 dB,增益平坦为±1 dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0 dB,输出1 dB增益压缩点(P_(1dB))大于5 dBm,可以承受15 W的脉冲输入功率。 相似文献
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报道了X波段 0 .5 μmGaAsPHEMT全单片低噪声放大器芯片。该放大器芯片由四级级联放大电路构成。芯片面积为 2 .43× 1.85mm2 。该放大器芯片在通带内测试结果为 :在工作条件VD=5V(ID≤ 10 0mA)下 ,增益 >2 6dB ,噪声系数≤ 2 .2dB ,输入、输出电压驻波比 <1.6∶1,平坦度≤± 1dB ,1dB压缩功率≥ 15dB·m ,相位一致性≤± 3°,幅度一致性≤± 0 .5dB。芯片尺寸为 2 .43mm× 1.85mm。 相似文献
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我国软磁铁氧体产业发展与未来 总被引:4,自引:0,他引:4
软磁铁氧体材料已经被广泛应用于民用和工业领域。随着21世纪信息技术和电子产品数字化的发展,对软磁铁氧体和元件提出了新的要求。如器件的小型化、片式化、高频化、高性能、低损耗等。软磁铁氧体材料将进一步向高频、高磁导率和低损耗的两高一低方向发展。 相似文献