多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响

采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350 ℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜.主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响.实验证明,当中间层的沉积温度为350 ℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高.     

GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究

研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积(PEMOCVD)技术在Si(001)衬底上,低温(620～720℃)下GaN薄膜的直接外延生长及晶相结构.高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线衍射(XRD)结果表明:在Si(001)衬底上外延出了高度c轴取向纤锌矿结构的GaN膜,但在GaN/Si(001)界面处自然形成了一层非晶层,其两个表面平坦而陡峭,厚度均匀(≈2nm).分析认为,在初始成核阶段N与Si之间反应所产生的这层SixNy非晶层使GaN的β相没有形成.XRD和原子力显微镜(AFM)结果表明,衬底表面的原位氢等离子体清洗,GaN初始成核及后续生长条件对GaN膜的晶体质量非常重要.     

GaN基材料半导体激光器综述

叙述了激光器材料的发展,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展,总结了GaN基材料激光器(LDs)的发展历程。     

保健食品市场,开始学会“自我保健”

九六年的保健食品市场如同一个发烧过后体温趋降的患者.九四年它的温度达至巅峰,拥有300O多家保健食品生产企业,40O0多种保健食品,3O0多亿元年销售额.而表面的繁荣疯狂无法遮掩其内部假冒伪劣产品盛行及广告宣传过分夸大的病态体质,也终究导致了九五年保健食品温度骤降的惨痛结局.据统计,九五年有600多家保健食品     

GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器的高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。介绍了GaN基半导体材料的制备方法，异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用，并讨论了今后的发展趋势。     

在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜.RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman光谱中A1(TO)、E1(TO)两个禁戒模式及281.1 cm-1附近宽峰出现的原因进行了探讨,并对E2(high)、A1(LO)模的低频移动进行了分析,分析认为E2(high)模低频移动是薄膜内应力和晶粒尺寸效应共同作用的结果,同时晶粒尺寸效应还导致了A1(LO)模的低频移动.     

静电探针测量射频感应耦合等离子体密度

本文介绍了一种可以测量射频感应耦合等离子体密度的静电探针方法。并给出了它的测量原理，实验方法和实验结果。实验结果表明：所测等离子体密度反映了等离子体的特性，并且诊断手段简单、易行，为等离子体诊断提供了一种很好的实验手段。     

蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究

通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了ECR(电子回旋共振)等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用,结果表明:在ECR氢等离子体中掺入少量的氮气可以明显提高蓝宝石衬底的清洗效果,从而获得平整而洁净的衬底表面;而采用ECR氮等离子体对经过氢氮混合等离子体清洗20min后的蓝宝石衬底进行氮化,能观测到最清晰的氮化铝成核层的RHEED条纹,且生长的GaN缓冲层质量是最好的.     

GaAs衬底上立方GaN的低温生长

研究了以（００１）ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＮ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０４Ｐａ。     

突变理论在建筑工程安全中的应用

介绍突变理论的基本思想．建筑工程的安全状况，直接关系到国计民生的大事，如何提高建筑工程的安全，是建筑工程危险识别与评价技术研究的重点．应用突变理论这一工具，对建筑工程墙体裂缝、建筑工程安全事故、建筑工程安全投入进行研究，其结论可服务于生产实际．