山地城镇建设的探索

城镇大规模的开发使城镇生态平衡系统发生了巨变,借助传统文化的继承,建立新的设计模式将是城镇可持续发展的前提.     

不同溶剂抽提冷杉脂溶性物质的GC/MS分析

为了研究不同溶剂超声波抽提的冷杉脂溶性物质中有机化学成分的异同，采用氯仿一元溶剂、V（氯仿）∶V（甲醇）=3∶1的混合二元溶剂以及V（氯仿）∶V（甲醇）∶V（丙酮）=4 ∶1∶1的混合三元溶剂，超声波抽提冷杉脂溶性物质的化学成分，气相色谱法分离，质谱法鉴定其结构。结果表明，3种不同溶剂所抽提的脂溶性物质在提取率、化学成分及含量等方面存在较大的差异。用氯仿一元溶剂超声波抽提的脂溶性物质的提取率最高，化学成分比较全面，是冷杉脂溶性物质抽提的理想溶剂。     

蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响

通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验.结果表明,经常规清洗后的蓝宝石衬底表面晶质差异较大,有些衬底再经通常的30min等离子体清洗是达不到要求的,而要根据情况施行分步清洗才能清洗充分,清洗充分的衬底经20min就可氮化出来,不充分的再长的时间也很难氮化.     

氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响

采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜. 利用反射高能电子衍射（RHEED) , X射线衍射 (XRD) 对样品进行检测,研究了在低温（430℃）沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响. 并且利用原子力显微镜 (AFM) 和室温光致发光 (PL) 谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.     

在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法

分析了在ECR－MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点，在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面，并进行了一系列不同条件下的对比试验，以反射高能电子衍射（RHEED）和X射线衍射（XRD）对实验结果进行检测，发现在清洗的过程中加入一定量的氮可以避免单纯氢清洗对衬底的损伤，并取得了比较好的氮化效果。     

ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K.     

《保健食品管理办法》问答

《保健食品管理办法》于1996年3月15日发布,自1996年6目1日起施行.可以说,《保健食品管理办法》的出台对于清理这几年混乱的保健食品市场秩序、保护消费者的合法权益以及促进保健食品工业的健康发展都是非常重要的.为了使保健食品的生产者、经营者和消费者能够更为详细而准确地认识理解该项法规,记者采访了卫生部食品卫生监督司的有关同志,对于该法规给予了进一步的解释.     

氮化工艺对GaN缓冲层生长的影响

以氮等离子体为氮源,以三乙基镓（TEG）为镓源,在蓝宝石（Al2O3）衬底上生长GaN缓冲层。主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响。实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法,提高了清洗的质量。用X射线衍射来表征晶体的结构,用原子力显微镜来表征表面形貌。通过对高能电子衍射仪获得的缓冲层与氮化层的衍射图样进行比较,对GaN的氮化实验参数进行了优化。     

低熟烃源岩有机质在微生物作用下的地球化学特征

对采自柴达木盆地涩北1井的2块钙质泥岩样品的饱和烃、芳烃和非烃馏分进行了系统的分析.检测出微生物特征生标MPI和角鲨烷化合物,在非烃馏分中检测出不饱和脂肪酸、异构脂肪酸和反异构脂肪酸.样品所处的地温为30℃左右,古环境细菌发育.同时检测出的8,14-断藿烷和烷基酮系列是微生物对沉积有机质改造的产物.在微生物作用下,低熟源岩有机质发生大分子向小分子转化,强烈的去甲基过程,藿烷C31/32αβ22S/(22S+22R)值和甾烷C29ββ/(ββ+αα)值等参数出现异常.微生物对低熟源岩的生物降解作用,有利于烃源岩生成气态烃,且对其降解具有饱和烃>芳烃>非烃的特征.     

ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点

报道了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机化学气相沉积(PEMOCVD)方法在GaAs(001)衬底上成功地制备出GaN量子点.原子力显微镜(AFM)测量表明成核密度高达1010cm-2,量子点直径约为30nm.采用300℃低温氮化,600℃退火和500℃缓冲层,600℃退火工艺制备.GaN量子点的密度和大小由制备温度和时间所控制.最后讨论了量子点成核的机制.