GaN的ECR-PEMOCVD生长中衬底清洗和氮化的分析

在改进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学汽相沉积(ECR-PEMOCVD)装置(ESPD-U)中,以氮等离子体为氮源,三乙基镓(TEG)为镓源,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜.在不同的温度、氮氢流量下,分别对α-Al2O3衬底进行等离子体清洗和氮化,并用RHEED实时监测.通过对RHEED图像的分析,得出衬底清洗和氮化的最佳条件.     

一种低功耗物联网智慧大棚控制系统

本文设计并实现了一种以STM32L010为核心，基于物联网，MQTT协议和APP的低功耗智慧大棚控制系统。该系统采用分布式节点，使用锂电池供电，将大棚的环境信息上传至云端服务器，显示在大屏终端上；并实现手机端APP对大棚作物的观察以及对喷水、卷帘设备的远程控制。此外，提出了自动化远程升级功能，提升设备维护的便利性。     

一种基于能量重心矫正的信号失真度测量系统

以MSP432E401Y单片机为核心器件，设计了一款低成本高精度的信号失真度测量系统，采用能量重心矫正算法提升了精度。该系统由信号调理、信号测量分析与发送、手机APP、显示4部分组成。初步处理后的信号经过自动增益控制以及迟滞比较器后，可以为系统提供与基波同频率的脉冲，以便系统测量频率，设置不同的采样率，减轻栅栏效应影响。快速傅里叶变换(FFT)经过离散频谱的能量重心校正法校正后，对谐波参数的分析精确度明显提高。APP通过蓝牙从单片机接收数据，能够绘制信号波形，并显示谐波的归一化幅值。测试表明，装置对500 Hz～200 k Hz、（10～600）m V信号的频率、5次以内谐波的归一化幅值以及总谐波失真的测量误差绝对值小于1%，测量并显示等功能均在2 s内完成。     

婴儿啼哭监测及安抚系统

系统由采集与信号调理模块的声音拾取装置（MEMS麦克风）收集环境声音，经自动增益控制（AGC）模块处理后被采集，处理器模块将采集到的音频数据首先通过获取环境信号特征完成环境噪声与端点检测特征值自适应，对音频信号预处理后，通过端点检测算法提取出有音信号段，将有音信号段导入MFCC算法提取信号倒谱，然后根据信号倒谱获取基音频率，最后通过基音频率各类统计值做最后判断，若判断结果为有效婴儿啼哭声，则触发执行安抚与信息通知，包括驱动语音安抚模块播放安抚音乐或父母安抚声，驱动无线通信模块通知父母婴儿发生啼哭。     

GaN 基材料生长及其在光电器件领域的应用

GaN具有禁带宽，热导率高，电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高度亮发光二极管，短波长激光二极管，高性能紫外探测器和高温，高频，大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的制备方法，异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用，并讨论了今后的发展趋势。     

GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在α-Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜.