语音噪声压缩新算法

本文提出了一种基于VAD的语音噪声抑制方法。这种新算法源于VAD技术及谱减法,它先对含噪声信号进行VAD处理,而后是基于感知掩蔽阈值的谱减法运算,降低噪声,获得清晰的增强信号。与其它算法相比,其效果更好,语音听测试证明了这一点。     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.     

增强型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT栅退火工艺

针对InGaP/AlGaAs/lnGaAs PHEMT器件,进行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au两种栅金属结构的退火实验,通过实验研究比较,得到了更适用于增强型器件的退火工艺,利用Ti/Pt/Au结构,在320℃退火40min,使器件阈值电压正向移动大约200mV,从而成功制作了高成品率的稳定一致的增强型器件,保证了增强型器件阈值电压在零以上.     

直投式酸奶发酵剂中高浓度细胞悬浮液的制备研究

冷冻干燥乳酸菌发酵剂的使用简化了乳品企业的生产工艺，提高了企业产品质量，避免了因微生物技术力量的不足而造成的菌种质量不佳等问题。高浓度细胞悬浮液的制备是其生产的关键步骤。本试验综合采用超滤法、缓冲盐法、流加碱中和法、离心法浓缩菌体，优选工艺路线，为规模射化生产奠定基础。     

分形模糊控制

世界上普遍存在着分形(fractal)规律[1].分形可以是形态、功能和信息方面的自相似性,而且相似性是有层次级别的.提出了量化因子和比例因子的分形因数F,从而把分形规律应用到查表式模糊控制中去.仿真结果表明提高了控制精度.     

高分辨率掩蔽感知模型的语音增强

给出一种有效的噪声压缩算法,提供了高分辨率的掩蔽感知模型,并对Kalman滤波模型进行了改进.算法通过计算噪声掩蔽参数,可以适时更新数据参数,压缩信号噪声.实验表明,本文算法没有延迟,语音质量感知评估（Perceptual evaluation of speech quality scores,PESQ）值高,对窄带及宽带信号噪声的压缩均有满意效果.     

200nm栅长In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件

利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T 型栅. GaAs基MHEMT 器件获得了优越的直流和高频性能,跨导、饱和漏电流密度、域值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 110GHz及 72GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.     

混铁炉耐火材料炉衬蚀损的调查与分析

进行了６００ｔ混铁炉的耐火材料蚀损调查与分析,认为Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ－Ｃ砖的蚀损出铁口以亚铁渣氧化熔蚀为主,前墙以渣蚀渗透这主。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

RH-KTB深脱氮工艺试验研究

武钢第二炼钢厂使用RH-KTB设备主要生产w(C)很低(w(C)≤15×10-6)的冷轧薄板钢.为了同时把有害元素w(N)降至15×10-6以下,进行了125炉次的深脱氮工艺试验.试验结果表明,RH-KTB法可以同时深脱氮,平均初始w(N)为24×10-6,经过约25 min精炼,最终钢液中w(N)可以稳定控制在15×10-6以下,成功率达80%.同时发现,脱氮反应主要发生在吹氧快速脱碳阶段,脱氮随着脱碳速率增大而加快,6～8 min脱碳减弱后,靠提高真空度、增大吹氩量和循环量等措施,还能继续深脱氮,可以脱去脱氧合金化时合金带入的增氮量.