基于过程方法建立质量管理体系的实践与探讨

采用过程方法可以提高组织关注过程结果和改进机会的能力,提高资源利用,并打破跨职能壁垒,从而提高质量管理体系的有效性。GJB 9001C—2017 《质量管理体系要求》倡导采用过程方法建立质量管理体系,结合装备质量管理体系建立的实践经验,主要对体系建立初期过程识别、过程关系确定和过程分析方法进行了详细阐述,为过程方法在质量管理体系建立中的应用提供了一定的参考。     

中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置总体设计

中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置是一台用于材料、光谱、生物、医学等领域前沿研究的多功能用户装置,在实验室现有的太赫兹自由电子激光装置（CTFEL）基础上,拟新增两套2×9-cell超导加速单元和两台波荡器,将电子能量提升至最大50 MeV,输出频率覆盖范围拓展至0.1～125 THz,最大宏脉冲功率大于100 W。同时,采用跑道型束线设计,拟建设一台小型能量回收型直线加速器实验研究平台。本文主要介绍了中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置的总体设计、工作模式以及用户实验站布局。     

JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性研究

研究了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管的击穿特性.首先,理论模拟了JTE终端横向长度、离子注入剂量和界面电荷对击穿电压的影响.对工艺条件进行优化,制作了JTE终端结构4H-SiC JBS二极管.测试结果表明,器件的正向电压为1.52V,特征导通电阻为2.12 mΩ·cm2,击穿电压为1650 V.接着,研究器件...     

Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(αl)以及密度随Bi2O3含量的变化关系。结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi—O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大。     

探索有线宽带与无线宽带的差异--用户体验影响要素分析

近年来,“带宽缩水”、“假宽带”等成为公众对有线宽带的吐槽焦点,而对手机上网用户评价尚可,两类宽带接入业务的用户体验差异较大。研究发现,除实际带宽外,用户期望、使用场景、业务种类、计费模式,甚至舆论导向都会对用户体验产生影响。建议运营企业综合考虑各项因素,提升网络质量的同时,避免过度宣传承诺,科学管理用户预期,有效改善用户感知。     

实用双波段共孔径光学系统设计

针对用于目标定位、威胁告警以及搜索跟踪等方面的双波段共孔径光学系统进行了研究,设计了一款将长波红外与激光相结合的双波段系统;该系统采用折射光学系统形式,在光路中采用分光片进行分光。该系统红外波段传递函数值在25lp/mm时所有视场均大于0.2,在激光波段0.7视场以内弥散圆直径小于0.6 mm,且该系统结构紧凑,既能满足目标搜索在捕获阶段的探测视场比较大的要求,又满足目标识别跟踪阶段的高分辨率要求,具有一定的实用价值。     

未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-x Gex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-x Gex.俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18％,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82 Ge0.18.随即在n-poly-Si0.82 Ge0.18薄...     

高压差分FET放大器171

高压差分ＦＥＴ放大器１７１龙科慧，梁胜一、主要性能指标和管脚图１７１具有下列主要特性：１．输出电压：土（Ｖ。一１０Ｖ）ｍｉｎ；ＩＶ。１～士１５０Ｖ２．输人阻抗：１０’‘Ｏ３．共模抑制比ＣＭＲＲ：大于１００ｄＢ４．直流偏置：小于工ｍＶ５·最大温度漂移：...     

在Transputer并行加速器上实现并行的版图参数提取

本文叙述了ＶＬＳＩ ＣＡＤ中版图参数提取并行算法在Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器上的实现。参数提取的并行算法是利用图形运算的区域并行性将版图划分为与处理器数目相等的若干区域，然后并行地在各处理器中完成对应区域的版图参数提取。用保持划分区域内图形向量数相等的方法，使各处理器负载均衡，经计算证实，各处理器负载均衡性较好，大大提高了运行速度。Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行加速器具有优良的性能价格比，在其上实现