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51.
本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构:在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势(静电势和电子及空穴电化学势). 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线. 相似文献
52.
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构. 相似文献
53.
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs). 相似文献
54.
55.
从玛湖大油区上二叠统成藏特点和油气分布规律入手,明确了3种类型油气藏有序分布规律,建立地层背景下广覆式退积型扇三角洲源上大面积成藏模式。首次统一准噶尔盆地二叠系东西部地层系统,通过石油地质条件类比研究,发现了面积超过2.5×10~4km~2的中央坳陷上二叠统中组合石油重大接替领域。在古地貌控沉控砂交互分析基础上,认为上二叠统受沟槽体系控制,在地层超覆背景下发育八大扇三角洲沉积,为此确定四大勘探领域和十大有利区带成藏条件优越,具备整体勘探条件。沙湾凹陷西斜坡是油气长期汇聚成藏的有利指向区,其上乌尔禾组、百口泉组发育扇三角洲前缘相带有利储层,物性较好,岩性圈闭群数量多、面积广,资源量大且勘探程度低,具有多层系立体成藏的特点,是风险勘探的重大领域。为此2018年优选沙湾凹陷西斜坡地层背景下岩性油藏群作为突破口,部署沙探1井,获重大发现,展现出与玛湖凹陷类似的多层系立体勘探潜力,有望与玛湖大油区连片,形成又一个勘探大场面。 相似文献
56.
在研究和分析10#矿体含铜硫铁矿石性质的基础上,进行了优先浮选和混合浮选试验,为企业开发利用这部分低品位硫铁矿石提供了技术依据。 相似文献
58.
59.
准噶尔盆地吉木萨尔凹陷陆相页岩油地质特征与聚集机理 总被引:23,自引:0,他引:23
综合利用岩心、测井、烃源岩热解、铸体薄片、场发射扫描电镜、激光共聚焦显微镜与高压压汞等分析测试的结果,对准噶尔盆地吉木萨尔凹陷芦草沟组陆相页岩油地质特征与聚集机理进行了研究。结果表明:吉木萨尔凹陷咸化湖盆型沉积地层富含有机质,是烃源岩层也是储层,页岩油藏具有“源储一体”的地质特征,存在粉砂岩类与泥岩类和白云岩类与泥岩类两类岩性组合类型。芦草沟组大面积整体含油、“甜点”富集且原油成熟度较低。页岩油赋存岩石的润湿性为亲油性,生烃增压是页岩油运聚的主要动力。微纳米孔喉、层理缝与构造裂缝形成页岩油的有利储集空间与渗流通道。页岩油整体为源内或近源聚集,并以游离态和吸附态赋存于芦草沟组“甜点”段与泥页岩层段中。 相似文献
60.
工业上常用的氢甲酰化催化剂为金属钴(Co)或铑(Rh)的配合物催化剂。为了提高催化剂的活性,同时降低催化剂成本,基于Co、Rh的双金属催化剂得到了广泛研究。综述了Co、Rh基双金属催化剂(均相、多相催化剂)的制备及其催化氢甲酰化反应的研究进展。分析表明,相比于单金属催化剂,双金属催化剂的催化活性有不同程度的提高;Co系双金属催化剂中,Co-Rh组合活性最好,适合长短链烯烃的催化,更倾向于负载型催化剂的发展;Rh系双金属催化剂中,Rh-Fe体系活性与Rh-Rh体系相当,但其成本低,适合高碳烯烃的催化。 相似文献