首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3402篇
  免费   187篇
  国内免费   161篇
电工技术   259篇
综合类   200篇
化学工业   318篇
金属工艺   168篇
机械仪表   197篇
建筑科学   611篇
矿业工程   149篇
能源动力   54篇
轻工业   467篇
水利工程   106篇
石油天然气   181篇
武器工业   21篇
无线电   294篇
一般工业技术   241篇
冶金工业   96篇
原子能技术   29篇
自动化技术   359篇
  2024年   31篇
  2023年   112篇
  2022年   138篇
  2021年   148篇
  2020年   113篇
  2019年   131篇
  2018年   135篇
  2017年   51篇
  2016年   70篇
  2015年   98篇
  2014年   187篇
  2013年   132篇
  2012年   181篇
  2011年   187篇
  2010年   157篇
  2009年   153篇
  2008年   156篇
  2007年   160篇
  2006年   187篇
  2005年   148篇
  2004年   151篇
  2003年   119篇
  2002年   120篇
  2001年   72篇
  2000年   72篇
  1999年   54篇
  1998年   44篇
  1997年   38篇
  1996年   50篇
  1995年   40篇
  1994年   42篇
  1993年   25篇
  1992年   26篇
  1991年   34篇
  1990年   28篇
  1989年   22篇
  1988年   17篇
  1987年   14篇
  1986年   17篇
  1985年   18篇
  1984年   17篇
  1983年   17篇
  1982年   11篇
  1981年   4篇
  1980年   6篇
  1979年   2篇
  1964年   4篇
  1959年   2篇
  1958年   3篇
  1956年   3篇
排序方式: 共有3750条查询结果,搜索用时 0 毫秒
51.
揭斌斌  薩支唐 《半导体学报》2008,29(11):2079-2087
本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构:在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势(静电势和电子及空穴电化学势). 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.  相似文献   
52.
本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.  相似文献   
53.
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs).  相似文献   
54.
陈靖  王卫平  支涛 《电子世界》2012,(9):115-118
重新认识新环境下高校图书馆文献资源建设工作,制定科学的信息资源建设策略,已是摆在我们面前的课题。高职院校图书馆信息资源建设,历来是高校图书馆信息资源建设中较薄弱的队伍,为了进一步推进我校图书馆信息资源建设,我们审视了我校图书馆信息资源的现状,并对我校师生通过问卷和访谈的方式进行了信息资源供给与满足情况调查,在此基础上提出了我校图书馆今后建设的意见和建议,并对高职院校图书馆信息资源建设中应特别引起注意的问题进行了讨论。  相似文献   
55.
从玛湖大油区上二叠统成藏特点和油气分布规律入手,明确了3种类型油气藏有序分布规律,建立地层背景下广覆式退积型扇三角洲源上大面积成藏模式。首次统一准噶尔盆地二叠系东西部地层系统,通过石油地质条件类比研究,发现了面积超过2.5×10~4km~2的中央坳陷上二叠统中组合石油重大接替领域。在古地貌控沉控砂交互分析基础上,认为上二叠统受沟槽体系控制,在地层超覆背景下发育八大扇三角洲沉积,为此确定四大勘探领域和十大有利区带成藏条件优越,具备整体勘探条件。沙湾凹陷西斜坡是油气长期汇聚成藏的有利指向区,其上乌尔禾组、百口泉组发育扇三角洲前缘相带有利储层,物性较好,岩性圈闭群数量多、面积广,资源量大且勘探程度低,具有多层系立体成藏的特点,是风险勘探的重大领域。为此2018年优选沙湾凹陷西斜坡地层背景下岩性油藏群作为突破口,部署沙探1井,获重大发现,展现出与玛湖凹陷类似的多层系立体勘探潜力,有望与玛湖大油区连片,形成又一个勘探大场面。  相似文献   
56.
在研究和分析10#矿体含铜硫铁矿石性质的基础上,进行了优先浮选和混合浮选试验,为企业开发利用这部分低品位硫铁矿石提供了技术依据。  相似文献   
57.
光纤材料的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文简要介绍了光纤材料的种类,制造方法及研究进展。  相似文献   
58.
支婷婷  陈兰荣 《激光技术》1991,15(5):274-277
采用再生放大腔内的短程放大,利用硅光导开关的长的复合时间,实现光导后产生快上升和下降时间、宽度可调的千伏电脉冲,完成从锁模脉冲序列中先后选出两个单脉冲,这两个单脉冲同步精度高、运转稳定。  相似文献   
59.
准噶尔盆地吉木萨尔凹陷陆相页岩油地质特征与聚集机理   总被引:23,自引:0,他引:23  
综合利用岩心、测井、烃源岩热解、铸体薄片、场发射扫描电镜、激光共聚焦显微镜与高压压汞等分析测试的结果,对准噶尔盆地吉木萨尔凹陷芦草沟组陆相页岩油地质特征与聚集机理进行了研究。结果表明:吉木萨尔凹陷咸化湖盆型沉积地层富含有机质,是烃源岩层也是储层,页岩油藏具有“源储一体”的地质特征,存在粉砂岩类与泥岩类和白云岩类与泥岩类两类岩性组合类型。芦草沟组大面积整体含油、“甜点”富集且原油成熟度较低。页岩油赋存岩石的润湿性为亲油性,生烃增压是页岩油运聚的主要动力。微纳米孔喉、层理缝与构造裂缝形成页岩油的有利储集空间与渗流通道。页岩油整体为源内或近源聚集,并以游离态和吸附态赋存于芦草沟组“甜点”段与泥页岩层段中。  相似文献   
60.
工业上常用的氢甲酰化催化剂为金属钴(Co)或铑(Rh)的配合物催化剂。为了提高催化剂的活性,同时降低催化剂成本,基于Co、Rh的双金属催化剂得到了广泛研究。综述了Co、Rh基双金属催化剂(均相、多相催化剂)的制备及其催化氢甲酰化反应的研究进展。分析表明,相比于单金属催化剂,双金属催化剂的催化活性有不同程度的提高;Co系双金属催化剂中,Co-Rh组合活性最好,适合长短链烯烃的催化,更倾向于负载型催化剂的发展;Rh系双金属催化剂中,Rh-Fe体系活性与Rh-Rh体系相当,但其成本低,适合高碳烯烃的催化。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号