Growth and microstructure properties of microcrystalline silicon films deposited using jet-ICPCVD

Microcrystalline silicon films were deposited at a high rate and low temperature using jet-type inductively coupled plasma chemical vapor deposition(jet-ICPCVD).An investigation into the deposition rate and microstructure properties of the deposited films showed that a high deposition rate of over 20 nm/s can be achieved while maintaining reasonable material quality.The deposition rate can be controlled by regulating the generation rate and transport of film growth precursors.The film with high crystallinity deposited at low temperature could principally result from hydrogen-induced chemical annealing.     

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布

用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGexC合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGexC缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGexC缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.     

CMOS 1.4THzΩ 155Mb/s光接收机差分跨阻前置放大器

采用本土CSMC 0.6μm标准CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的CMOS跨阻前置放大器.电路采用差分结构以提高共模抑制比,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰,抑制衬底耦合噪声和温漂,从而有效抑制前置放大器的噪声.同时前置放大器为双端输出,易与后面差分结构的主放大器级联,无需单端-双端转换电路和片外元件,电路结构更为简单,实现了单片集成.电路采用单级放大结构,比通常的多级电路更为稳定.测试结果表明,前置放大器在5V电源电压下增益-带宽积可达1.4THzΩ,等效输入电流噪声为1.81pA/ Hz,可稳定工作在155Mb/s(STM-1)的速率上.     

用MOCVD方法制备的GaN_(1-x)P_x三元合金的喇曼与红外光谱

采用光辐射加热低压金属有机化学气相淀积(L P- MOCVD)方法在蓝宝石衬底上生长了高P组分的Ga N1 - x-Px 三元合金薄膜,通过喇曼光谱和红外反射谱技术研究了Ga N1 - x Px 合金中P掺杂所引入的振动模.与非掺P的Ga N相比,在Ga N1 - x Px 合金的喇曼谱和红外反射谱中分别观测到了多个由P所引入的振动模,文中将它们分别归因于Ga- P键振动引起的准局域模、间隙模以及P掺入造成的局部晶格无序激活的振动模     

快固化淀粉粘合剂的研制和应用

研制贴面瓦楞纸板用,粘度适中、初粘时间短、干燥速度快、常温使用的淀粉粘合剂,替代PVA粘合剂和白乳胶效果好.提供了粘合剂的配方及生产工艺,并讨论了氧化条件的选择及各成份的作用等。     

中子辐照损伤区对硅少数载流子寿命的影响

中子辐照在半导体硅晶体中形成无序区,使其电学性能受到严重影响.本文根据无序区基本特征,系统分析中子辐照对少数载流子寿命影响的过程,给出了一个完整自洽的计算表达式;理论计算了材料掺杂浓度、无序区辐照缺陷分布态,以及载流子注入量等参量对少数载流子寿命的影响.最后,将计算结果与点缺陷模型、及实验测量数量进行比较和讨论.     

硅量子线的研究

利用常规硅工艺的反应离子刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压ＣＶＤ生长技术，成功地硅单晶衬底上制作了硅／二氧化硅异质界面结构超精细硅量子线。本项研究结果对开展低维量子结构物理及硅量子器件的研究具有十分重要的意义。     

滑坡稳定性可靠度分析

基于对滑坡稳定性影响强烈的岩土性质、计算模式、地下水及荷载等因素的分析,建立滑坡稳定性评价的极限状态方程,通过对岩土参数、地下水及有效重力等敏感因子的求解及分布特征分析;在对泰勒级数对非线性极限状态方程线性化后,结合结构可靠度的理论,运用一次二阶矩的方法,求解了滑坡稳定性可靠度指标β,最后通过开县康家咀滑坡稳定性对比分析,证明了该方法的正确性,提高了滑坡稳定性评价精度.     

纳电子器件的少电子输运性质及应用

在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。