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132.
MoSi2价电子结构分析及结合能计算 总被引:3,自引:0,他引:3
根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能。结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合。由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si—Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04。MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性。MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因。 相似文献
133.
溶液浸渍和溶胶浸渍法对C/C复合材料抗氧化性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
针对C/C复合材料容易氧化的缺陷,以磷酸盐为主要成分,采用溶液浸渍和溶胶浸渍2种方法对C/C复合材料进行抗氧化处理。结果表明:溶胶浸渍法可以有效地调节C/C复合材料抗氧化涂层前驱体成分,使涂层均匀、致密,具有良好的抗氧化效果。通过扫描电镜和X射线衍射等检测手段发现,溶胶类涂层与C/C复合材料结合良好,不易剥落,在较大的温度范围内呈玻璃态,具有良好的流动性能,可以有效封填涂层中的缺陷,保证涂层的抗氧化能力。但由于涂层物质晶型的转变,削弱了涂层的自愈合能力,使涂层的抗氧化能力逐步减弱。 相似文献
134.
采用包埋法分别在密度为0.8、1.4和1.8 g/cm3的炭/炭(C/C)复合材料表面制备SiC涂层,选择密度为1.8 g/cm3的试样研究预氧化处理对涂层结构和抗氧化性能的影响。利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究涂层的显微组织和物相组成,用1500℃静态空气氧化方法测试涂层的抗氧化性能。结果表明,随C/C复合材料密度增大,涂层嵌入基体的深度越小,涂层与基体的分界越明显。密度为1.8 g/cm3的C/C复合材料进行预氧化处理后,表面粗糙度增大,表面的炭纤维周围产生了环形孔隙,再经过包埋制备SiC涂层,涂层厚度增加且更加均匀致密。将样品于1500℃静态空气中氧化334 h后,氧化质量损失率为0.684×10?4 g/(cm2·h),氧化后表面生成了莫来石相,抗氧化性能有明显提升。 相似文献
135.
热压反应烧结制备短纤维增强C-SiC复合材料的组织和性能 总被引:1,自引:1,他引:0
将T700短切炭纤维(Cf)或Nicalon-SiC短纤维(SiCf)、C粉、Si粉和少量SiC粉混合, 在1 900 ℃热压烧结制备短纤维增强C-SiC复合材料, 并对复合材料的物相、组织结构、抗弯强度和抗氧化性能进行了研究。结果表明: SiCf/C-SiC的相对密度和室温抗弯强度分别为95.3%和343.8 MPa, 均高于Cf/C-SiC, 热压烧结过程中Cf损伤严重。复合材料在1 300 ℃氧化行为表现为在氧化初期氧化失重较大, 随氧化时间的增长,氧化失重率逐渐减小; 在氧化后期则为氧化增重。SiCf/C-SiC复合材料在1 100~1 400 ℃间的氧化规律基本相似, 且温度越高, 氧化失重率越小, 抗氧化性能越好。SiCf/C-SiC复合材料的抗氧化性能优于Cf/C-SiC复合材料。 相似文献
136.
137.
138.
MoSi2和WSi2的价电子结构及性能分析 总被引:2,自引:0,他引:2
根据固体与分子经验电子理论,对MoSi2和wSi2的价电子结构进行了定量的分析,通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数.结果表明:在MoSi2和WSi2晶体中,沿(331)位向分布的Mo-Si和W-Si原子键最强,这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点.晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性,MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好.并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因. 相似文献
139.
载荷、时间、速度对C/C复合材料摩擦磨损行为的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
在M2000型、MG1000型高温摩擦实验机上,将3种C/C复合材料分别与40Cr镀Cr钢、W18Cr4V钢配副进行滑动摩擦实验。结果表明:在环-块滑动摩擦实验中,随时间延长,试样摩擦系数均趋向平稳,质量磨损量均增长。其中,低密度试样的摩擦系数较高,在0.13~0.18之间波动;在销-盘滑动摩擦实验中,室温下,20 N时,具有粗糙层/光滑层/树脂炭试样摩擦系数为0.13、1 h质量磨损为1.1 mg,40 N时分别为0.10和0.9mg,60 N时分别0.15和3.9 mg为;200℃时,试样的摩擦系数和1 h质量磨损均大幅度增加,分别在0.16~0.27和4.1~5.8 mg之间;“跑合”期间,随时间延长,试样的摩擦系数和磨损量均逐渐增大;“跑合”结束后,摩擦系数变小,磨损量趋于稳定;随转速增加,试样的摩擦系数和质量磨损均增加。 相似文献
140.