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采用源极增强带带隧穿热电子注入编程的新型p沟选择分裂位线NOR快闪存贮器 总被引:1,自引:3,他引:1
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点.该结构采用源极增强带带隧穿热电子注入进行编程,当子位线宽度为128位时,位线漏电只有3.5μA左右,每位编程功耗为16.5μW,注入系数为4×10-4,编程速度可达20μs,存贮管的读电流可达60μA/μm以上.分裂位线结构和低编程电压使得该结构具有很好的抗位线串扰特性和可靠性. 相似文献
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文章将讨论不挥发存储器单元-FLASH的擦写过程,包括对擦写原理的描述重点其擦写过程的电流进行分析,建立了适用于该单元的电流模型,并结合本所工艺线的实验单元进行测试,在对建立的模型和理论进行验证。 相似文献
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在射频激励CO2 波导激光器的研制中 ,关键技术是如何使射频电源的能量能最大限度地输入到激光放电区中以及在放电区均匀放电。本文在理论上详细论述了如何在激光头的射频电极上并联上一些电感 ,并在激光头和电源之间加一可调匹配网络以达到这一目的 ,并在实验上实现了矩形波导以及 1× 3和 2× 3波导列阵大面积的均匀放电 ,得到了激光输出 相似文献
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