通过In/Sb双掺杂优化SnTe基材料热电性能

采用高温熔炼、热压烧结方法制备了p型Sn Te基热电材料Sn_(0.995–x)In0.005Sb_xTe(x=0～0.16)并研究了其热电性能。In掺杂可以在SnTe中引入共振能级,态密度增加,使得室温Seebeck系数提升。此外,因为与Sn所带电荷不同,Sb的异价掺杂会产生大量自由电子,从而降低Sn Te基材料过高的载流子浓度;而纳米尺度富Sb第二相散射也会让晶格热导率进一步降低,在825 K时获得最低晶格热导率约0.73 W/(m?K)。通过电学和热学的协同优化,整个温度区间的zT值都得到提升。其中,Sn0.915In0.005Sb0.08Te在825 K时获得zT最大值约1.1,说明该体系Sn Te基材料在热电应用上有一定潜力。     

大型五轴数控机床圆度误差测试与分析

为了研究大型五轴机床直线轴的两轴联动圆度精度方面的技术问题。首先对大型五轴机床的圆度精度影响因素进行了分类和分析,总结影响大型五轴机床圆度常见影响因素。其次,对大型五轴机床分别进行了不同位置、不同进给速度及不同测试半径的圆度测试。最后,给出测试结果和分析,并针对圆度影响因素和测试结果给出相应的调整和零件加工的建议。通过圆度的测试和分析,对提高大型五轴机床精度的设计研发和产品的循环改进具有指导意义。     

GaSb添加和Sb掺杂对Mg_2Si_(0.5)Sn_(0.5)固溶体热电性能的影响(英文)

利用B2O3助熔剂法结合热压法制备了Mg2Si0.487-2x Sn0.5(Ga Sb)x Sb0.013(0.04≤x≤0.10)固溶体。X射线衍射结果表明样品呈单相。Sb掺杂有效提高了样品的电导率。随温度升高,Mg2Si0.487-2x Sn0.5(Ga Sb)x Sb0.013(0.04≤x≤0.10)样品的电导率降低而塞贝克系数升高。随Ga Sb含量的增多,样品的电导率呈现出先增大后减小的变化趋势。所有样品中Mg2Si0.287Sn0.5(Ga Sb)0.1Sb0.013具有最低晶格热导率,其室温晶格热导率比Mg2Si0.5Sn0.5[11]低15%。由于电导率较高使Mg2Si0.327Sn0.5(Ga Sb)0.08Sb0.013具有最高热电优值,在720 K达到0.61,显著高于基体Mg2Si0.5Sn0.5[11]的最高热电优值0.019。     

新型热电材料β—Zn4Sb3的电学性能

采用真空熔炼和烧结的方法制备了新型热电材料β-Zn4Sb3。X射线衍射分析表明样品为单相。2种样品从室温到723K温度范围内的电学性能测量表明,β-Zn4Sb3在500K～650K时具有较高的功率因子,真空熔炼样品的性能要优于烧结样品,其功率因子在623K时达到最大值3.9μW.cm^-1.k^-2。β-Zn4Sb3在热电转换领域有潜在的应用前景。     

Fe—Sm—Si热电合金的电学特性

采用悬浮熔炼法制备了Fe-Sm-Si热电合金材料,并研究了其电学输运特性。实验表明:在Fe1-xSmxSi2合金中,Sm为n型掺杂元素,Sm轻掺杂时,试样仍为p型,随着Sm量的增加,试样的Seebeck系数和功率因子都降低;Sm含量x 0.4的高Sm硅化物试样为n型,其中,热电性能最好的试样成分为Fe0.6Sm0.4Si2,其电阻率在10-5W穖数量级,而Seebeck系数仍达到80 mV稫-1左右。其机理被认为是由于Sm的4f层电子的贡献。     

工艺管道机械化深度预制的技术与分析

在化工生产建设过程中,管道铺设的施工任务十分艰巨,工程涉及的生产技术以及项目施工的进程等一系列环节的要求都逐步提升。为此,实施化工管道机械化预制及工厂规模化生产就显得极为重要。     

熔体缓冷制备Pb9.6SbmTe3Se7合金及其热电性能

采用真空封管熔炼缓冷和热压法制备Pb9.6SbmTe3Se7合金样品(m=0.15,0.2,0.25,0.267,0.3,0.35,0.4),研究Sb的掺杂量对热电性能的影响。结果显示,除m=0.4的样品由于Sb含量过多呈金属特性外,随着Sb含量的增加,载流子迁移率降低,电导率减小,热导率呈减小趋势,且都明显低于PbTe的热导率。HRTEM显示样品中广泛存在着不同形貌的纳米微区,增加了声子散射,有效降低热导,提高热电优值。其中Pb9.6Sb0.3Te3Se7样品在677K时ZT达到的1.14,与目前可复现的n型掺杂PbTe基材料的最大ZT值相比,增长近50%。     

某型立式加工中心动态性能测试与优化分析

以某立式加工中心为研究对象,通过模态测试来分析该立式加工中心在动态性能上的薄弱点,并依据测试结论对该立式加工中心进行结构优化,最后对优化后的机床再次进行测试分析。测试结果证明此次优化效果显著,因此基于动态性能测试与优化的流程在立式加工中心的实际设计过程中具有重要的参考价值。     

Ag-Bi-Sb-Te四元合金的热电性能

以Ag、Bi、Sb、Te为原料在1373K真空熔炼合成了AgxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0～0.5)合金.微观组织和结构分析显示,真空熔炼的合金具有层状组织特征,属R3m晶体结构,当x≥0.2时出现面心立方AgSbTe2相.电学性能测试表明,在300～580K温度范围内合金的电导率随温度升高而下降,掺Ag后合金的电导率明显提高,掺Ag量为x=0.1试样的最大值达到2.3×105S/m.材料的Seebeck系数均为正值,表明掺Ag合金为p型半导体.     

n-型梯度结构热电材料FeSi2/Bi2Te3的制备与性能研究*

采用热浸焊法用纯Sn作为过渡层制备了n－型FeSi2/Bi2Te3梯度结构热电材料并对其热电性能进行了测试。发现当冷热端温度在510℃以下时,梯度结构热电材料的表观See-beck系数随平均温度几乎呈线性分布在同一条带形区域内,并在相同的温度范围内,其值显著高于单种均质材料（Bi2Te3和β-FeSi2)。梯度结构热电材料的最大输出功率较单种材料高2－2．5倍以上,且当材料经190℃100h与200h的真空退火后,输出功率几乎不变。金相分析表明,在Sn层与两半导体界面处,没有明显的Sn扩散迹象,说明在所试验的条件下,用Sn作为过渡层热稳定性较好。