基于直方图散度和小波分解的图像配准算法

针对基于互信息的图像配准方法运行时间长、抗噪声差的问题,提出了一种基于新的相似性测度的图像配准算法,在分析两幅图像的联合直方图点集分布情况的基础上,定义了直方图点集的散度公式,并将其作为相似性测度.为加速参数的搜索过程,配准是在小波域内进行的,并使用遗传算法与Powell算法相结合的方法来优化参数.实验证明,相对于基于互信息的图像配准算法,本算法参数优化方法选择可以更灵活,时间消耗更少,噪声鲁棒性更优.     

基于锗硅工艺的40-Gb/s分接器

采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺设计了一个1∶2分接器,核心电路单元采用经过改进的电路结构实现。由于传统的发射极耦合逻辑结构(ECL)电路的工作速度不能达到要求,对此加以了改进,在发射极耦合逻辑结构中增加一级射极跟随器,形成发射极-发射极耦合逻辑(E2CL)结构,从而提高电路的工作速度。测试结果显示,所设计分接器的工作速度可以达到40Gb/s。整个电路采用单电源5V供电,功耗为510mW。     

C元素对N型a-Si:H薄膜微结构及电学特性的影响

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si:H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si:H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系.结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si:H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si:H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si:H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势.

Abstract：

Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films doped with P and C were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).The influence of carbon on the dark conductivity,activation energy and mirostructure of the P-doped a-Si:H films was investigated by means of electrical measurment and Raman spectroscopy,and the relationship between electrical properties and microstructure of the films was also analyzed.It is shown from Raman spectra that the degree of short-range order and the defects of the films decreae with the increase of carbon doping,while the degree of intermediate-range order remains unchanged.A small amount of carbon can reduce the activation energy and enhance the dark conductivity of the P-doped a-Si : H thin films.However,excessive carbon makes the structural order of the amouphous network get worse which leads to a decline of dark conductivity.     

NGN测试仪中BICC协议的解码

介绍了BICC协议在NGN网络中的应用,分析了BICC协议的消息结构,提出了BICC协议解码模块的设计方案.对其他类似的协议具有执导和推广意义.     

光纤光缆网的工程建设和管理

工程管理在工程建设中起到举足轻重的作用。结合工作实践,阐述在光纤光缆网的建设中需要注意考虑的影响工程建设的一些因素,介绍工程管理的细节方面及工程施工管理的主要思路。     

激光冲击强化对K417材料振动疲劳性能的影响

为研究激光冲击强化(LSP)对镍基高温合金振动疲劳强度的影响,使用流水约束层和铝箔涂层,利用波长为532 nm,脉宽为10 ns,能量为1.5 J,冲击光斑尺寸为1.6 mm的YAG激光器对K417试件进行了激光冲击强化处理.使用升降法测试比较了冲击处理试件和未处理试件的振动疲劳强度.结果表明,试件经激光冲击强化后振动疲劳强度由106.5 MPa提高到285.5 MPa,疲劳性能大大提高.对激光冲击强化后的试件断口分析结果表明激光冲击的强化作用抑制了裂纹在试件表层的萌生和扩展,从而提高了材料的振动疲劳强度.     

从纺织工厂到“时尚工坊”——上海尚街loft园区的适应性改造

上海是中国控机器大工业的发祥地之一,也是新中国建国以后我国最重要的工业基地,在政府主导下,具有历史价值,地标景观意义的工业遗产逐步获得了保护,有别于政府的工业遗产保护,建成年代较晚的现代工业建筑不是因其历史价值和建筑老华问题,而因城市建筑改造在项目组织方式上可分为两类：一类是由发展商和企业主导,不是简单地把土地转让给他人,而是引入时尚创意产业联合开发（如建国路八号桥）,另一类是由使用者和小业主主导,由“自下而上”的力量推动,自发形成原生态,多样性的城市空间（如泰康路田子坊,莫干山路M50等）.     

深基坑支护结构的风险分析

随着城市现代化进程的加快,高层建筑和地下空间的利用得到极大发展,深基坑工程数量不断增多,基坑风险问题变得日益重要.本文总结了深基坑支护结构的破坏模式及原因,基于模糊综合评价法建立了深基坑支护结构本身风险的评价指标集,据此对深基坑支护结构风险实例进行了分析.     

连云港市无管处被命名为“市无线电科普示范基地”

近日,江苏省连云港市政府举行了连云港市科普示范基地授牌仪式,连云港市无线电管理处被市政府命名为”连云港市无线电科普示范基地”。近年来,连云港市无管处高度重视无线电科普宣传工作,一直把开展无线电科普宣传活动作为一项重要工作来抓,不断加大无线电科普基础设施投入。无管处先后购置50余件各式设备．完善了相关配套功能设施．建成了近1000平方米的活动场地。2007年．该处被市科协、科技局、教育局联合下文命名为青少年科普示范基地。     

A 20-Gb/s 1 ： 2 demultiplexer in 0.18-μm CMOS

A 1 ： 2 demultiplexer （DEMUX） has been designed and fabricated in SMIC＇s standard 0.18-μm CMOS technology, based on standard CML logic and current-density-centric design philosophy. For the integrity of the DEMUX and the reliability of the internal operations, a data input buffer and a static latch were adopted. At the same time, the static latch enables the IC to work in a broader data rate range than the dynamic latch. Measurement results show that under a 1.8-V supply voltage, the DEMUX can operate reliably at any data rate in the range of 5-20 Gb/s. The chip size is 875×640μm^2 and the power consumption is 144 mW, in which the core circuit has a share of less than 28%.