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本文报道的是采用低能量的氮或氨注入硅中形成氮化硅的方法。讨论了采用各种分析手段包括椭偏光法,化学腐蚀法、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子显微镜(XPS)、红外透射分光仪(IR)、卢瑟福背散射分光仪(RBS)对氮注入膜所进行的广泛的材料研究。研究出一种新的测量膜厚、密度、折射率和介电常数的方法。这种方法并用了椭园测量、电容测量以及由卢瑟福背散射所得的氮的面密度。一个重大的发现是注入氮化物膜的密度比CVD氮化物的密度低。对氮化物的其它材料特性也进行了简要的介绍。 相似文献
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双极集成电路的单事件扰动(SEU)是双极晶体管各个区域中的离子轨迹收集电荷造成的。本文给出了有关重离子(Br)的射程-能量特性方面获得的一些实验数据,这种射程-能量特性被用于测定软误差产生剖面随穿过双极静态RAM的单粒子轨迹中的收集电荷而变化的关系。测定的结果为实验验证双极IC的电路模拟SEU模型提供了根据。 相似文献
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本化研究了1050℃至1200℃下<100>硅在1.1.1.—三氯乙烷(C_(33))跟干氧的混合物中的氧化对二氧化硅和硅特性的影响。加到氧气流中的三氯乙烷(C_(33))使氧化速率同干氧氧化相比增加了。发现氯位于离硅/二氧化硅界面300埃厚的二氧化硅层内。由于HC1的作用,使钠和钾从石英管壁迁移到硅片,因而,C_(33)氧化层内钠和钾的含量比干氧中热生长的氧化层内钠和钾的含量要高。如果二氧化硅表面呈现颗粒状,就可达到可动钠的中和。C_(33)氧化层在290℃下施加一个正的或负的场强后显示出不稳定性。在硅禁带的上半部产生出一些负的氧化层电荷和界面态。没有观察到径C_(33)氧化之后氧化物的固定电荷、界面态密度以及少数载流子的体寿命有什么改善。C_(33)氧化对硅本体材料的主要影响是完全抑制堆垛层错的产生。 相似文献
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矿产资源的寻找一直国家关注的重点工作之一,其方式有很多,其中磁法勘探重磁反演方法是一种超高精度的找矿方式,它的使用延长了矿山的服务年限。文章以某矿山为例,对磁法勘探重磁反演方法进行研究。 相似文献
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目前,动态随机存取存储器(DRAM)的应用已经超出主计算机的范围,而过去DRAM大量用于主计算机。随着先进的微处理机系统应用范围的不断扩大以及系统软件的日益复杂,似乎对于存储器的要求永远不满足。因此,许多新的应用领域对存储器性能的要求已经超出标准的NMOS DRAM所能达到的水平。 相似文献
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纯净的HF腐蚀硅和二氧化硅的速率大体上分别是900埃/分和120埃/分。纯净的CF_4腐蚀硅和二氧化硅的速率大体上分别是320埃/分和90埃/分,而C_2F_6的腐蚀速率大体上分别是390埃和385埃/分。辉光放电使HF分解量达5％、CF_4分解量达13％、而C_2F_6分解量可达51％。将CF_4跟HF混合后看不出它们之间有协合作用。CF_4跟HF的比为1:1的混合气体发生辉光放电时其分解量分别为17％和4％。CF_4和HF间的相互作用看来很微弱,其证据是反应生成物CHF_3的量很少。将HF加进C_2F_6中之后,C_2F_6等离子体对硅和二氧化硅的腐蚀速率都有所下降。将C_2F_6跟HF的比为1:4的混合气体进行辉光放电,C_2F_6和HF的分解百分比分别为54％和30％,并且生成CHF_3和CF_4。 相似文献
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Ⅳ有限的反型层电容 效应 在进行MOSFET模拟时,一般假定沟道内流动的电荷是随着阈值以上的栅压偏置线性增加的。只要氧化物的厚度比反型层的厚度大得多,并且电源电压根对地大,情况的确是这样的。用理想的恒定电场按比例缩小时,反型层的厚度基本上保持不变,而氧化物厚度要依据按比例缩小因子进行减小。因此,氧化物电容相对反型层电容来说增加了,C_i=-(Q_n/αφ_s)导致亚线性的沟道电荷变化和跨导降低。 相似文献
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一年以前,一批新的激光系统才刚刚进入集成电路的制造领域。激光在今后的芯片制造中应用前景现在已经明朗化。更进一步的深入应用还有待于半导体厂家去努力。XMR公司说,他们生产的用于硅电路微细加工的准分子激光系统LMMC,在其投产后的第二年底,开始有了转机。但这家公司的另一台系统就不那么幸运,那是一台基于准分子激光辅助掺杂技术,用于大容量存储器芯片的精确的极浅扩散系统。该公司眼下还在寻找一家大公司对它的系统进行投资。 相似文献
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